| 主权项 |
1. 一种高功率MOS场效电晶体胞元规格缩小方法,其中,该高功率MOS场效电晶体胞元之制程系包含有一源极离子植入光罩步骤、及一源极接触窗形成步骤,其特征在于:该源极离子植入用罩幕之形状为长方形,该源极接触窗的形状亦为长方形,并且该长方形之源极接触窗的长边系与该源极离子植入用罩幕的长边相互垂直,俾使该高功率MOS场效电晶体胞元的布局形状系为长方形,据以缩小该高功率MOS场效电晶体胞元的规格,而提升该高功率MOS场效电晶体胞元于一晶片中的胞元密度,进而降低单位晶片面积之导通电阻。2. 如申请专利范围第1项之高功率MOS场效电晶体胞元规格缩小方法,其中该高功率MOS场效电晶体胞元系为沟渠型MOSFET胞元。3. 如申请专利范围第1项之高功率MOS场效电晶体胞元规格缩小方法,其中该高功率MOS场效电晶体胞元系为平面型MOSFET胞元。4. 如申请专利范围第1项之高功率MOS场效电晶体胞元规格缩小方法,其中该长方形之源极离子植入用罩幕的短边系为胞元制程上最小的长度单位。5. 如申请专利范围第1项之高功率MOS场效电晶体胞元规格缩小方法,其中该长方形之源极接触窗的短边系为胞元制程上最小的长度单位。 |
