| 主权项 |
1.一种制作供积体电路使用之光罩的方法,使用向量扫描式之电子束微影成像术,在一光罩本体上形成金属图案,其步骤包含:(a)在所述光罩本体上先沉积一层不透光的金属膜,再形成一层正光阻;(b)使用电脑辅助设计软体将所述光罩本体划分为目标区和电子扫描区,其中所述目标区系指欲形成金属图案的区域,所述电子扫描区系指将进行电子束扫描的区域;(c)使用电脑辅助设计软体,将电子扫描区划分为第一区域和第二区域,所述第一区域系指从所述目标区之外缘算起再往外扩张一特定距离所形成之区域;所述第二区域系指所述电子扫描区扣除掉所述第一区域后所形成之区域;所述特定距离系指在电子束微影技术中具有最佳关键尺寸解析度的电子束大小;(d)使用向量扫描式之电子束,将所述电子束的大小调整在具有最佳解析度的电子束大小,对所述第一区域进行扫描;(e)使用向量扫描式之电子束,对所述第二区域进行扫描;(f)进行显影;(g)对所述金属膜进行蚀刻;以及(h)去除光阻。2.如申请专利范围第1项所述之制作供积体电路使用之光罩的方法,其中所述光罩本体系一石英玻璃。3.如申请专利范围第1项所述之制作供积体电路使用之光罩的方法,其中所述不透光的金属膜系铬金属膜。4.如申请专利范围第1项所述之制作供积体电路使用之光罩的方法,其中所述金属图案系铬金属图案。5.如申请专利范围第1项所述之制作供积体电路使用之光罩的方法,其中所述第一区域的确定,系利用电脑辅助设计软体先将目标区反相转换而形成电子扫描区,再利用电脑辅助设计软体将所述目标区扩大所述特定距离,再将所述扩大后的目标区反相转换而形成所述第二区域,最后将所述电子扫描区减去所述第二区域即可得到所述第一区域。6.一种制作供积体电路使用之光罩的方法,使用向量扫描式之电子束微影技术,在一光罩本体上形成金属图案,其步骤包含:(a)在所述光罩本体上先沉积一层不透光的金属膜,再形成一层负光阻;(b)使用电脑辅助设计软体在所述光罩本体上定义出目标区,其中所述目标区系指欲形成金属图案的区域,也就是将进行电子束扫描的区域;(c)使用电脑辅助设计软体,将所述目标区划分为第一区域和第二区域,所述第一区域系指从所述目标区之外缘算起再往内缩一特定距离所形成之区域;所述第二区域系指所述目标区扣除掉所述第一区域所形成之区域;所述特定距离系指在电子束微影技术中具有最佳关键尺寸解析度的电子束大小;(d)使用向量扫描式之电子束,将所述电子束的大小调整在具有最佳解析度的电子束大小,对所述第一区域进行扫描;(e)使用向量扫描式之电子束,对所述第二区域进行扫描;(f)进行显影;(g)对所述金属膜进行蚀刻;以及(h)去除光阻。7.如申请专利范围第6项所述之制作供积体电路使用之光罩的方法,其中所述光罩本体系一石英玻璃。8.如申请专利范围第6项所述之制作供积体电路使用之光罩的方法,其中所述金属膜系铬金属膜。9.如申请专利范围第6项所述之制作供积体电路使用之光罩的方法,其中所述金属图案系铬金属图案。10.如申请专利范围第6项所述之制作供积体电路使用之光罩的方法,其中所述第一区域的确定,系利用电脑辅助设计软体先定义目标区,再利用电脑辅助设计软体将所述目标区缩小所述特定距离后形成所述第二区域,最后将所述目标区减去所述第二区域即可得到所述第一区域。11.一种积体电路中利用电子束进行微影制程的方法,使用向量扫描式之电子束微影技术,在一半导体晶片上定义图案,其步骤包含:(a)形成一层正光阻;(b)使用电脑辅助设计软体将所述半导体晶片划分为目标区和电子扫描区,其中所述目标区系指欲形成图案的区域,所述电子扫描区系指将进行电子束扫描的区域;(c)使用电脑辅助设计软体,将电子扫描区划分为第一区域和第二区域,所述第一区域系指从所述目标区之外缘算起再往外扩张一特定距离所形成之区域;所述第二区域系指所述电子扫描区扣除掉所述第一区域所形成之区域;所述特定距离系指在电子束微影技术中具有最佳关键尺寸解析度的电子束大小;(d)使用向量扫描式之电子束,将所述电子束的大小调整在具有最佳解析度的电子束大小,对所述第一区域进行扫描;(e)使用向量扫描式之电子束,对所述第二区域进行扫描;(f)进行显影。12.如申请专利范围第11项所述之积体电路中利用电子束进行微影制程的方法,其中所述第一区域的确定,系利用电脑辅助设计软体先将目标区反相转换而形成电子扫描区,再利用电脑辅助设计软体将所述目标区扩大所述特定距离,再将所述扩大后的目标区反相转换而形成所述第二区域,最后将所述电子扫描区减去所述第二区域即可得到所述第一区域。13.一种积体电路中利用电子束进行微影制程的方法,使用向量扫描式之电子束微影技术,在一半导体晶片上定义图案,其步骤包含:(a)在所述光罩本体上先沉积一层薄膜,再形成一层负光阻;(b)使用电脑辅助设计软体在所述光罩本体上定义出目标区,其中所述目标区系指欲形成金属图案的区域,也就是将进行电子束扫描的区域;(c)使用电脑辅助设计软体,将所述目标区划分为第一区域和第二区域,所述第一区域系指从所述目标区之外缘算起再往内缩一特定距离所形成之区域;所述第二区域系指所述目标区扣除掉所述第一区域所形成之区域;所述特定距离系指在电子束微影技术中具有最佳关键尺寸解析度的电子束大小;(d)使用向量扫描式之电子束,将所述电子束的大小调整在具有最佳解析度的电子束大小、对所述第一区域进行扫描;(e)使用向量扫描式之电子束,对所述第二区域进行扫描;(f)进行显影。14.如申请专利范围第13项所述之积体电路中利用电子束进行微影制程的方法,其中所述第一区域的确定,系利用电脑辅助设计软体先定义目标区,再利用电脑辅助设计软体将所述目标区缩小所述特定距离后形成所述第二区域,最后将所述目标区减去所述第二区域即可得到所述第一区域。图式简单说明:第一图为本发明第一实施例中,定义目标区和电子扫描区的示意图。第二图为本发明第一实施例中,将目标区扩大的示意图。第三图为本发明第一实施例中,利用电子束扫描第一区域的示意图。第四图为本发明第一实施例中,利用电子束扫描第二区域的示意图。第五图为本发明第二实施例中定义目标区的示意图。第六图为本发明第二实施例中,将目标区内缩的示意图。第七图为本发明第二实施例中,利用电子束扫描第一区域的示意图。第八图为本发明第二实施例中,利用电子束扫描第二区域的示意图。 |
