| 主权项 |
1.一个半导体装置,具有:多个散热通路,每个散热通路针对一个主动元件预定数目的终端,该散热通路为用来将热由该主动元件的终端传输到散热构件,其中该预定数目的终端被建构成彼此不会因该散热通路和该散热构件而造成导电连结。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,于至少一个散热通路中,在达于该散热构件的一个通路插入一个具有良好导热性及电性绝缘的构件(绝缘构件)。3.一个半导体装置,其中,主动元件的一个第一终端经由导电构件连结到散热构件,且于其中,主动元件的一个第二终端经由至少一个在两者之间的绝缘构件将热传输到该散热构件。4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,该散热构件为一个安装主动元件的封装之散热构件。5.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中,该散热构件为一个安装主动元件的封装之散热构件。6.如申请专利范围第3项之半导体装置,其中,该散热构件为一个安装主动元件的封装之散热构件。7.一个半导体装置,其中,一个形成于基板上主动元件的电极(第一电极)被连结到一个导电构件,而主动元件的其他电极中的至少一个电极(第二电极)被经由绝缘构件连结到该导电构件,该导电构件抵接于封装的散热构件。8.如申请专利范围第7项之半导体装置,其中,该主动元件由一个场效电晶体所构成,并且其中的第一和第二电极分别为源极电极和汲极电极。9.一个半导体装置,其中,至少一个主动元件的终端被经由绝缘构件连结到用来黏结主动元件的封装散热构件。10.如申请专利范围第9项之半导体装置,其中,该绝缘构件被配置成至少(a)一个该主动元件终端的表面和/或为(b)封装散热片的一边被用来黏结主动元件。11.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中,绝缘构件包含氮化铝。12.一种制造半导体装置的制造方法,其中,一个形成于基板上的主动元件被安装容纳该主动元件的封装散热构件,包含步骤:(a)形成闸极电极于该基板上;(b)分别在基板上汲极电极和源极电极的部份形成一个设有孔的第一绝缘薄膜;(c)在该基板上形成汲极电极和源极电极;(d)在该基板整个表面形成第二绝缘薄膜并且将表面平坦化直到该汲极电极和源极电极暴露出来;(e)形成一个绝缘构件于该汲极电极上;(f)在该基板上源极电极的位置形成一个设有孔的第三绝缘薄膜并且将表面平坦化直到汲极电极绝缘构件的表面暴露出来;并且(g)形成一个导电构件于该第三绝缘薄膜上。13.一种制造半导体装置的制造方法,其中,一个被形成于基板上的主动元件被安装容纳该主动元件的封装散热构件,包含步骤:(a)形成闸极电极于该基板上;(b)分别在基板上汲极电极和源极电极的部份形成一个设有孔的第一绝缘薄膜;(c)在该基板上形成汲极电极和源极电极;(d)在该基板整个表面形成第二绝缘薄膜并且将表面平坦化直到汲极电极和源极电极暴露出来;(e)形成一个绝缘构件于该汲极电极上;(f)形成金属凸块于该封装连结该主动元件源极电极上的位置;及(g)黏结该主动元件和封装使得该主动元件的该源极电极和封装的金属凸块彼此面对。14.一种制造半导体装置的制造方法,其中,一个被形成于基板上的主动元件被安装容纳该主动元件的封装散热构件,包含步骤:(a)形成闸极电极于该基板上;(b)分别在基板上汲极电极和源极电极的部份形成一个设有孔的第一绝缘薄膜;(c)在该基板上形成汲极电极和源极电极;(d)形成一个绝缘构件于该封装中面向该主动元件汲极电极的位置;(e)形成金属凸块于该封装连结该主动元件源极电极上的位置;(f)黏结该主动元件和该封装使得该主动元件的该源极电极和该封装的金属凸块彼此面对而且使得汲极电极和该封装的绝缘构件彼此面对。15.如申请专利范围第12项之半导体装置的制造方法,其中,该绝缘构件由氮化铝构成。16.如申请专利范围第13项之半导体装置的制造方法,其中,该绝缘构件由氮化铝构成。17.如申请专利范围第14项之半导体装置的制造方法,其中,该绝缘构件由氮化铝构成。18.如申请专利范围第12项之半导体装置的制造方法,其中,该主动元件为形成于砷化镓基板上的高输出功率场效电晶体而其中该绝缘构件由氮化铝所构成。19.如申请专利范围第13项之半导体装置的制造方法,其中,该主动元件为形成于砷化镓基板上的高输出功率场效电晶体而其中该绝缘构件由氮化铝所构成。20.如申请专利范围第14项之半导体装置的制造方法,其中,该主动元件为形成于砷化镓基板上的高输出功率场效电晶体;且于其中,该绝缘构件由氮化铝所构成。 |
