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1. 一种清洗半导体晶片的方法,其中半导体晶片在 化学机械抛光后具有铜层(1)露出于其表面(2),该方 法包 含以下步骤: a) 以第1洗涤液处理该半导体晶片(1/2/3/4;31), 以从该半导体晶片除去抛光粒子(6)而不损伤该铜 层;与 b) 以第2洗涤液处理该半导体晶片,以从该半导体 晶 片除去金属污染物(5/7/8), |_其|_特|_徵|_为 该第1洗涤液系选自于由包含0.0001-0.5重量百分比 之氨的氨水、介于中性与弱硷性之间的阴极电解 质与包含 氢的水所构成的族群,与 该第2洗涤液包含至少一种去污剂系选自于由可与 铜 产生螯合化合物的聚羧酸、该聚羧酸的铵盐与聚 胺羧酸所 构成的族群。2. 如申请专利范围第1项所述之方法 ,其中在该化学 机械抛光时使用一抛光研浆,该抛光研浆包含该抛 光粒子 与至少一氧化剂,而成为至少其中一该金属污染物 的污染 源。3. 如申请专利范围第2项所述之方法,其中将 该抛光 粒子(6)从该半导体晶片(1/2/3/4)刷去,且该第1洗涤 液 使该抛光粒子与该表面带负电。4. 如申请专利范 围第1项所述之方法,其中该阴极电 解质系经由在纯水或含有等于或低于0.5重量百分 比之氨 的氨水中电解所产生。5. 如申请专利范围第4项所 述之方法,其中该阴极电 解质包含该氨0.0005-0.01重量百分比。6. 如申请专 利范围第1项所述之方法,其中该包含氢 的水系经由通氢气至纯水或含有等于或低于0.5重 量百分 比之氨的氨水中所产生。7. 如申请专利范围第6项 所述之方法,其中该包含氢 的水包含0.1-10ppm的氢。8. 如申请专利范围第7项所 述之方法,其中该包含氢 的水尚包含该氨0.0005-0.01重量百分比。9. 如申请 专利范围第1项所述之方法,其中该聚羧酸 为草酸、柠檬酸、D-酒石酸、L-酒石酸、丙二酸、 苹果 酸、顺丁烯二酸与琥珀酸。10. 如申请专利范围第 9项所述之方法,其中该铵盐 为该草酸、该柠檬酸、该D-酒石酸、该L-酒石酸、 该丙二 酸、该苹果酸、该顺丁烯二酸与该琥珀酸的盐。 11. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中当参考 电极系以以氯化银形成时,该阴极电解质与该包含 氢的水 的氧化还原电位在-1000mV与-300mV之间。12. 如申请 专利范围第3项所述之方法,其中该表面 (2)系以绝缘材料所形成,该绝缘材料系选自于由氧 化 矽、苯并环丁烯、聚对亚苯基二甲基-N、CYTOP、乾 凝 胶、HSQ与包含过氧化氢之基于甲基矽烷的复合材 料所构 成的族群中的一个材料。13. 如申请专利范围第1 项所述之方法,其中将该第2 洗涤液供应至该铜层(1)所露出的该半导体晶片的 主表 面,与将包含氢氟酸与过氧化氢的第3洗涤液供应 至该半 导体晶片(3)的背面。14. 如申请专利范围第13项所 述之方法,其中将该氢 氟酸、该过氧化氢与水调整为1-10:1-10:200。15. 如 申请专利范围第1项所述之方法,其中在该步骤b) 中使用离心喷洒清洗技术。16. 一种清洗半导体晶 片(21/22/23a/23b/24/25)的 方法,其中半导体晶片在化学机械抛光后具有钨层 (25)露 出于其表面(22),该方法包含以下步骤: a) 以第1洗涤液处理该半导体晶片,以从该半导体 晶 片除去抛光粒子(26a/26b)而不损伤该钨层;与 b) 以第2洗涤液处理该半导体晶片,以从该半导体 晶 片除去金属污染物(27a/27b), |_其|_特|_徵|_为 该第1洗涤液系选自于由包含0.0001-5重量百分比之 氨的氨水、介于中性与弱硷性之间的阴极电解质 与包含氢 的水所构成的族群,与 该第2洗涤液包含至少一种去污剂系选自于由0.01 重 量百分比至7重量百分比范围之草酸、草酸铵与聚 胺羧酸 所构成的族群。17. 如申请专利范围第16项所述之 方法,在该化学机 械抛光时曾使用抛光研浆,其包含该抛光粒子(26a/ 26b) 与至少一氧化剂,而成为至少其中一该金属污染物 (27a/27b)的污染源。18. 如申请专利范围第17项所述 之方法,其中将该抛 光粒子(26a/26b)从该半导体晶片刷去,且该第1洗涤 液使 该抛光粒子与该表面带负电。19. 如申请专利范围 第16项所述之方法,其中该阴极 电解质系经由在纯水或包含等于或低于5重量百分 比之氨 的氨水中电解所产生。20. 如申请专利范围第16项 所述之方法,其中该包含 氢的水系经由通氢气至纯水或包含等于或低于5重 量百分 比之氨的氨水中所产生。21. 如申请专利范围第18 项所述之方法,其中该表面 (22)系以绝缘材料所形成,该绝缘材料系选自于由 氧化 矽、苯并环丁烯、聚对亚苯基二甲基-N、CYTOP、乾 凝 胶、HSQ与包含过氧化氢之基于甲基矽烷的复合材 料所构 成的族群中的一个材料。22. 如申请专利范围第16 项所述之方法,其中将该第 2洗涤液供应至该钨层(25)所露出的该半导体晶片 的主表 面,与将包含氢氟酸与过氧化氢的第3洗涤液供应 至该半 导体晶片的背面。23. 如申请专利范围第22项所述 之方法,其中将该氢 氟酸、该过氧化氢与水调整为1-10:1-10:200。24. 如 申请专利范围第16项所述之方法,其中在该步 骤b)中使用离心喷洒清洗技术。 |
