| 发明名称 | 垂直熔丝及其制造方法 | ||
| 摘要 | 根据本发明的半导体器件的熔丝包括表面上设置有导电路径的衬底,设置在衬底上的介质层,以及垂直于表面设置的垂直熔丝,熔丝穿过介质层并连接到导电路径,垂直熔丝形成腔体,衬里材料沿腔体的垂直表面设置,衬里材料沿垂直的表面融化熔断熔丝。还包括垂直熔丝的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1275807A | 申请公布日期 | 2000.12.06 |
| 申请号 | CN00102634.8 | 申请日期 | 2000.02.23 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术北美公司;国际商业机器公司 | 发明人 | S·J·韦伯;A·C·布林特青格;R·伊古尔登;M·霍因基斯;C·纳拉彦;R·范登博格 |
| 分类号 | H01L23/62 | 主分类号 | H01L23/62 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 梁永;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的熔丝，包括：表面上设置有导电路径的衬底；设置在衬底上的介质层；以及垂直于表面设置的垂直熔丝，熔丝穿过介质层并连接到导电路径，垂直熔丝形成腔体，衬里材料沿腔体的垂直表面设置，衬里材料能沿垂直的表面融化以熔断熔丝。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||