| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一绝缘层12被形成在半导体基片11上并且具有凹槽12a用于在预定区形成配线层15。在凹槽12a内壁上形成阻挡层金属并防止构成配线层15的原子扩散进入绝缘层12。在形成在凹槽12a的底部的阻挡层金属13上形成晶种层14并作为形成配线层15时结晶生长的晶核。晶种层以结晶方向(111)为主。形成配线层以掩埋凹槽12a。此外,配线层以结晶方向(111)为主,其抑制电迁移。 | ||
| 申请公布号 | CN1275802A | 申请公布日期 | 2000.12.06 |
| 申请号 | CN00107751.1 | 申请日期 | 2000.05.25 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 星野晶 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L21/28;H01L21/3205 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件制造方法，其中包括步骤：在基片上形成用于在配线之间绝缘的绝缘层；在所述绝缘层的一预定区域中形成一凹槽用于形成配线层；在所述凹槽的内壁上形成阻挡层，用于防止构成所述配线层的原子扩散进入所述绝缘层；形成一晶种层，当以能够获得基本上(111)方向的方式形成所述配线层时，其作为用于结晶生长的晶核；以及在所述晶种层上形成基本上具有(111)方向的一配线层以致掩埋所述凹槽。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||