发明名称 半导体器件及其制造方法
摘要 部分片状电极形成在一底板上,以对应于半导体片状器件的块状电极,使得与该块状电极重叠的连接部分在基本上相同的方向上延伸,并且超声振动被施加在这个方向上,以进行片状电极与块状电极之间的连接。
申请公布号 CN1275800A 申请公布日期 2000.12.06
申请号 CN00105584.4 申请日期 2000.03.31
申请人 日本电气株式会社 发明人 池上五郎
分类号 H01L21/607;H01L21/603 主分类号 H01L21/607
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 朱进桂
主权项 1.一种半导体器件包括:一个在其正面上形成有大量块状电极的半导体片状器件;由形成在对应于所述块状电极的位置处的绝缘基片上的片状电极所制成的底板;其中所述半导体片状器件和底板相互正对,使得所述块状电极和片状电极被重叠,并且受到压力和超声振动,从而把所述半导体片状器件电连接到所述底板,以及其中在所述半导体片状器件上的所述块状电极分布于至少两条垂直相交的直线中,形成所述底板的绝缘基片是一种具有弹性的材料,并且相邻区域包括在所述片状电极和所述块状电极之间的重叠区域,其在不同于该块状电极的分布方向的方向上延伸。
地址 日本东京都