晶体管及其制造方法

摘要

一种制造薄膜晶体管的方法,该方法包括:使非晶硅膜结晶化;在其上形成栅绝缘膜和栅电极、以自对准方式注入杂质,粘附一含有加速硅膜结晶化的催化元素的被覆层,以及将所得结构在低于衬底变形温度的温度下退火,以激活已掺入的杂质。按另一方案,可用离子注入法或类似法将催化元素引入杂质区而掺入该结构。

主权项

1.一种薄膜晶体管，包括：一半导体膜，由在绝缘表面上形成的硅构成；一沟道区，在所述半导体膜内形成；和源区和漏区，在所述半导体膜内形成，所述沟道区即夹在所述源区与漏区之间，各所述源区和漏区的导电类型彼此相同；其特征在于，所述源区和漏区含催化元素，供催化硅的晶化过程用；且所述催化元素在所述沟道区的浓度比在所述源区和漏区的浓度低。