| 主权项 |
1.一种半导体晶圆之制造方法,其特征系由下列工程而成:(1)切断半导体锭以得晶圆之锭切断工程,(2)使切断之晶圆切断面平坦化之平坦化工程,(3)以酸蚀刻平坦化之晶圆之蚀刻工程,(4)使蚀刻之晶圆表面为镜面,同时以两面研磨装置研磨该背面使背面残留能识别表里之凹凸之两面研磨工程,(5)洗净两面研磨之晶圆之洗净工程。2.一种半导体晶圆之制造方法,系由下列工程而成:(1)切断半导体锭以得晶圆之锭切断工程,(2)使切断之晶圆切断面平坦化之平坦化工程,(3)以酸洗净去除平坦化形成之晶圆表面之加工面内不纯物之酸洗净工程,(4)使用两面研磨装置,去除酸洗净之晶圆表面之加工变形并予镜面研磨,同时研磨该背面使背面残留能识别表里之凹凸之两面研磨工程,(5)洗净两面研磨之晶圆之洗净工程。3.如申请专利范围第1项或第2项所述之半导体晶圆之制造方法中,以两面研磨装置研磨时,设定两面研磨装置之研磨条件研磨成背面磨取量为表面磨取量之3分之2以下。图式简单说明:第一图:本发明有关之实施例之制造方法之工程图。第二图:以本发明有关之制造方法制造之半导体晶圆之侧断面图。第三图:其他实施例之制造方法之工程图。第四图:显示下平台之旋转速度与背面之去除量曲线图。第五图:显示下平台之旋转速度与背面之光泽度之关系之曲线图。 |
