| 主权项 |
1.一种藉由光谱法即时监控薄膜厚度均匀性的方法,其中该薄膜系藉由溅镀方式被成长在一位于反应舱内的基板表面上,其中该反应舱内具有一相对于该基板的靶材并且具有一维持在低压的工作气体,该方法包含下列步骤:a)以一光纤沿着平行于该靶材的一平面测量因溅击该靶材而产生的电浆所发出光源的强度;b)将步骤a)的光源强度加予分光而得到该靶材之一构成元素在一特定波长的强度及该工作气体在邻近该特定波长的强度,于是得到该构成元素的特定波长强度相对于该光纤移动位置的强度分布,及该工作气体的邻近波长强度相对于该光纤移动位置的强度分布;c)以该工作气体的强度分布正规化该构成元素的强度分布,而得到一正规化强度分布;d)将步骤c)所得的正规化强度分布与一预先得到的标准正规化强度分布进行比对,而即时监控薄膜厚度均匀性,其中该标准正规化强度分布代表在相同溅镀条件下具有一想要薄膜厚度均匀性的溅镀的正规化强度分布。2.如申请专利范围第1项的方法,其中步骤c)的正规化包含将该构成元素特定波长的强度除以该光纤相同移动位置的该工作气体的邻近波长的强度,而得到一强度比値分布,及步骤d)的标准正规化强度分布为标准强度比値分布。3.如申请专利范围第1项的方法,其中步骤a)的溅击该靶材所产生的电浆在该平面上呈圆柱对称。4.如申请专利范围第1项的方法,其中步骤a)系以该光纤于该反应舱外测量该光源的强度。5.一种藉由光谱法即时监控薄膜厚度均匀性的方法,其中该薄膜系藉由溅镀方式被成长在一位于反应舱内的基板表面上,其中该反应舱内具有一相对于该基板的靶材并且具有一维持在低压的工作气体,该方法包含下列步骤:a)以一光纤沿着平行于该靶材的一平面测量因溅击该靶材而产生的电浆所发出光源的强度,其中溅击该靶材所产生的电浆在该平面上呈圆柱对称;b)将步骤a)的光源强度加予分光而得到该靶材之一构成元素在一特定波长的强度及该工作气体在邻近该特定波长的强度,于是得到该构成元素的特定波长强度相对于该光纤移动位置的强度分布,及该工作气体的邻近波长强度相对于该光纤移动位置的强度分布;c)将步骤b)所得的相对于该光纤移动位置的两强度分布换算为相对于该电浆在该平面的分布范围的半径位置的两强度分布;d)以该工作气体的强度分布正规化该构成元素的强度分布,而得到一正规化强度分布;e)将步骤d)所得的正规化强度分布与一预先得到的标准正规化强度分布进行比对,而即时监控薄膜厚度均匀性,其中该标准正规化强度分布代表在相同溅镀条件下具有一想要薄膜厚度均匀性的溅镀的正规化强度分布。6.如申请专利范围第5项的方法,其中步骤d)的正规化包含将该构成元素特定波长的强度除以在相同的该半径位置的该工作气体的邻近波长的强度,而得到一强度比値分布,及步骤e)的标准正规化强度分布为标准强度比値分布。7.如申请专利范围第5项的方法,其中步骤a)系以该光纤于该反应舱外测量该光源的强度。8.如申请专利范围第5项的方法,其中步骤c)的换算系利用AbelInversion将下式代表的相对于该光纤移动位置的两强度分布换算为如下式的相对于该电浆在该平面的分布范围的半径位置的强度分布其中x为代表光纤移动位置的座标;r为该电浆在该平面的分布范围的半径位置的座标;及R为该电浆分布范围的半径。9.一种藉由光谱法即时监控薄膜厚度均匀性的方法,其中该薄膜系藉由溅镀方式被成长在一位于反应舱内的基板表面上,其中该反应舱内具有一相对于该基板的靶材并且具有一维持在低压的工作气体,该方法包含下列步骤:a)以一光纤沿着平行于该靶材的一平面测量因溅击该靶材而产生的电浆所发出光源的强度,其中溅击该靶材所产生的电浆在该平面上呈圆柱对称;b)将步骤a)的光源强度加予分光而得到该靶材之一构成元素在一特定波长的强度及该工作气体在邻近该特定波长的强度,于是得到该构成元素的特定波长强度相对于该光纤移动位置的强度分布,及该工作气体的邻近波长强度相对于该光纤移动位置的强度分布;c)将步骤b)所得的相对于该光纤移动位置的两强度分布换算为相对于该电浆在该平面的分布范围的半径位置的两强度分布;d)以该工作气体的强度分布正规化该构成元素的强度分布,而得到一正规化强度分布;e)以步骤d)所得的正规化强度分布计算出薄膜厚度均匀性。10.如申请专利范围第9项的方法,其中步骤d)的正规化包含将该构成元素特定波长的强度除以在相同的该半径位置的该工作气体的邻近波长的强度,而得到一强度比値分布。11.如申请专利范围第9项的方法,其中步骤a)系以该光纤于该反应舱外测量该光源的强度。12.如申请专利范围第9项的方法,其中步骤c)的换算系利用Abel Inversion将下式代表的相对于该光纤移动位置的两强度分布换算为如下式的相对于该电浆在该平面的分布范围的半径位置的强度分布其中x为代表光纤移动位置的座标;r为代表电浆在该平面的分布范围的半径位置的座标;及R为该电浆分布范围的半径。13.一种藉由光谱法即时监控薄膜厚度均匀性的方法,其中该薄膜系藉由蒸镀方式被成长在一位于反应舱内的基板表面上,其中该反应舱内具有一相对于该基板的蒸镀材料,该方法包含下列步骤:a)以一光纤沿着平行于该蒸镀材料的一平面测量因加热该蒸镀材料所发出光源的强度,而得到该光源强度相对于该光纤移动位置的强度分布;及b)将步骤a)所得的强度分布与一预先得到的标准强度分布进行比对,而即时监控薄膜厚度均匀性,其中该标准强度分布代表在相同蒸镀条件下具有一想要薄膜厚度均匀性的蒸镀的强度分布。14.如申请专利范围第13项的方法,其中步骤a)系以该光纤于该反应舱外测量该光源的强度。15.如申请专利范围第13项的方法,其中步骤a)的加热该蒸镀材料所发出光源在该平面上呈圆形对称。16.一种藉由光谱法即时监控薄膜厚度均匀性的方法,其中该薄膜系藉由蒸镀方式被成长在一位于反应舱内的基板表面上,其中该反应舱内具有一相对于该基板的蒸镀材料,该方法包含下列步骤:a)以一光纤沿着平行于该蒸镀材料的一平面测量因加热该蒸镀材料所发出光源的强度,而得到该光源强度相对于该光纤移动位置的强度分布,其中加热该蒸镀材料所发出光源在该平面上呈圆形对称;及b)将步骤a)所得的相对于该光纤移动位置的强度分布换算为相对于该光源在该平面分布范围的半径位置的强度分布;c)将步骤b)所得的强度分布与一预先得到的标准强度分布进行比对,而即时监控薄膜厚度均匀性,其中该标准强度分布代表在相同蒸镀条件下具有一想要薄膜厚度均匀性的蒸镀的强度分布。17.如申请专利范围第16项的方法,其中步骤a)系以该光纤于该反应舱外测量该光源的强度。18.如申请专利范围第16项的方法,其中步骤b)的换算系利用Abel Inversion将下式代表的相对于该光纤移动位置的强度分布换算为如下式的相对于该光源在该平面的分布范围的半径位置的强度分布其中x为代表光纤移动位置的座标;r为代表该光源在该平面的分布范围的半径位置的座标;R为该光源在该平面的分布范围的半径。19.一种藉由光谱法即时监控薄膜厚度均匀性的方法,其中该薄膜系藉由蒸镀方式被成长在一位于反应舱内的基板表面上,其中该反应舱内具有一相对于该基板的蒸镀材料,该方法包含下列步骤:a)以一光纤沿着平行于该蒸镀材料的一平面测量因加热该蒸镀材料所发出光源的强度,而得到该光源强度相对于该光纤移动位置的强度分布,其中加热该蒸镀材料所发出光源在该平面上呈圆形对称;及b)将步骤a)所得的相对于该光纤移动位置的强度分布换算为相对于该光源在该平面分布范围的半径位置的强度分布;c)以步骤d)所得的强度分布计算出薄膜厚度均匀性。20.如申请专利范围第19项的方法,其中步骤a)系以该光纤于该反应舱外测量该光源的强度。21.如申请专利范围第19项的方法,其中步骤b)的换算系利用Abel Inversion将下式代表的相对于该光纤移动位置的强度分布换算为如下式的相对于该光源在该平面的分布范围的半径位置的强度分布其中x为代表光纤移动位置的座标;r为代表该光源在该平面的分布范围的半径位置的座标;R为该光源在该平面的分布范围的半径。图式简单说明:第一图为基板和溅镀源几何结构示意图。第二图为本发明实施例中靶材与基板之几何关系图。第三图为光纤扫瞄示意图。第四图为溅镀功率190瓦时锶原子谱线波长640.8nm的强度分布以及氩原子谱线波长675.2nm的强度分布。第五图为图四锶原子谱线640.8nm强度除以氩原子谱线675.2nm强度的比値分布。第六图为实际量测薄膜厚度分布与使用本发明方法测量计算得到之薄膜厚度分布。 |
