| 主权项 |
1.一种过电压保护装置,其包括一具有第一电极层(2)沉积于其上之基板(1),一第二电极层(3)延伸于第一电极层(2)之上,藉由以一间隔层(4)的厚度所决定之距离d来分开第二电极层(3)与第一电极层(2),该间隔层(4)具有形成在介于该等电极层(2,3)间之孔洞(6)的缺口(5)。2.如申请专利范围第1项之过电压保护装置,其特征在于该第一电极层(2)系由具有非常低之功函数的发射电子材料所做成。3.如申请专利范围第1项或第2项的过电压保护装置,其特征在于该第二电极层(3)系由具有非常低之功函数的发射电子材料所做成。4.如申请专利范围第1项或第2项的过电压保护装置,其特征在于以气体填充该孔洞(6)。5.如申请专利范围第1项或第2项的过电压保护装置,其特征在于该气体之种类及数量以及结构的几何形状能够被选择来定义一适合用于过电压保护的预定电压Uo。6.如申请专利范围第1项或第2项的过电压保护装置,其特征在于至少该等电极层(2,3)的其中之一具有特殊的表面形状。7.如申请专利范围第1项或第2项的过电压保护装置,其特征在于该基板(1)包括一半导体本体。8.如申请专利范围第1项或第2项的过电压保护装置,其特征在于一绝缘层(8)被沉积在该基板(1)上。9.如申请专利范围第1项或第2中任何一项的过电压保护装置,其特征在于该绝缘层(8)对应于一IC晶片的钝化层(13)。10.如申请专利范围第1项或第2项的过电压保护装置,其特征在于该等电极层(2,3)和间隔层(4)被形成于钝化层(13)之内。11.一种过电压保护装置的制程,其包括沉积一层第一电极层(2)、一层间隔层(4)、以及一层第二层极层(3)于基板上,一层叠在另一层之上,间隔层(4)被提供有至少一个形成在介于该等电极层(2,3)间之孔洞(6)的缺口(5)。12.如申请专利范围第11项之过电压保护装置的制造,其特征在于以气体填充介于该等电极层(2,3)之间的孔洞(6)。13.如申请专利范围第11项或第12项之过电压保护装置的制造,其特征在于从具有实际上蚀刻速率大于该等电极层(2,3)之材料之蚀刻速率的材料来形成间隔层(4),并且为了形成缺口(5)于间隔层(4)中,窗口(9)被形成于第二电极层(3)中,该间隔层(4)以在缺口(5)之侧边之间隔层(4)的部分被遗留下来如此之方式经由该等窗口(9)而被向下蚀刻至第一电极层(2)。14.如申请专利范围第11项或第12项之过电压保护装置的制程,其特征在于该间隔层(4)中的缺口(5)被形成于第二电极层(3)的沉积之前,并且该第二电极层(3)系藉由纸状材料之沉积而被形成。15.如申请专利范围第14项之过电压保护装置的制程,其特征在于该等二电极层(3)被非永久性地或永久性地固定于间隔层(4)。16.如申请专利范围第11项或第12项之过电压保护装置的制程,其特征在于气体被导入孔洞(6)之中而同时该装置被安装。17.如申请专利范围第11项或第12项之过电压保护装置的制程,其特征在于在第一电极层(2)的沉积之前,一绝缘层(8)被沉积在该基板(1)上。图式简单说明:第一图显示根据本发明之过电压保护装置的一个实施例;第二图显示根据本发明之过电压保护装置的另一个实施例;以及第三图显示根据本发明之过电压保护装置的又一个实施例。 |
