发明名称 BGA封装及其制造方法
摘要 一种具有PCB的BGA封装系被提供,其包含一板本体、数个电路图型、数个讯号通孔、一抗焊剂、和数个热发射通孔。该等热发射过孔系形成在一晶片贴附区域的下面而且该等热发射通孔的内部系以低熔点金属填充,俾可防止湿气至该封装本体内的吸收并且有效地将来自该封装的热发射到外部。而且,一种用以制造该BGA封装的方法亦被提供。本发明之BGA封装具有可以防止湿气至该封装本体内之吸收并且有效地将来自该封装的热发射到外部的优点。
申请公布号 TW413873 申请公布日期 2000.12.01
申请号 TW086119868 申请日期 1997.12.27
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 安殷彻;河雄基;李荣敏
分类号 H01L21/56 主分类号 H01L21/56
代理机构 代理人 恽轶群 台北巿南京东路三段二四八号七楼;康伟言 台北巿南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种使用于球形栅状阵列封装的印刷电路板,该印刷电路板包含:一板本体,该板本体具有一晶片贴附区域在其之上表面和数个焊球垫在其之下表面,一半导体晶片系贴附到该晶片贴附区域,而焊球系贴附到该等焊球垫;数个电路图型,该等电路图型系形成在该板本体的上和下表面上,在该上表面上的电路图型系定位于该晶片贴附区域周围俾可电气地连接至该半导体晶片,而在该下表面上的电路图型系连接至该等焊球垫;数个讯号通孔,该等讯号通孔系形成在该板本体上,俾可将该板本体之上表面的电路图型连接至该板本体之下表面的电路图型;数个热发射通孔,该等热发射通孔系形成在该板本体上并且系定位于该晶片贴附区域下面;及一抗焊剂,除了该上表面之电路图型的一部份和该下表面的焊球垫之外,该抗焊剂系涂覆于该板本体的整个表面上,该上表面之电路图型的该部份系电气地连接至该半导体晶片,其中,该等热发射通孔的内部系以一金属填充。2.如申请专利范围第1项所述之使用于球形栅状阵列封装的印刷电路板,其中,该金属是为具有低熔点的金属。3.如申请专利范围第1项所述之使用于球形栅状阵列封装的印刷电路板,其中,该等热发射通孔的内部系藉着网印方法来以该金属填充。4.一种用以制造使用于球形栅状阵列封装之印刷电路板的方法,包含如下之步骤:(a)制备该印刷电路板,其包含:一板本体,该板本体具有一晶片贴附区域在其之上表面和数个焊球垫在其之下表面,一半导体晶片系贴附到该晶片贴附区域,而焊球系贴附到该等焊球垫;数个电路图型,该等电路图型系形成在该板本体的上和下表面上,在该上表面上的电路图型系定位于该晶片贴附区域周围俾可电气地连接至该半导体晶片,而在该下表面上的电路图型系连接至该等焊球垫;数个讯号通孔,该等讯号通孔系形成在该板本体上,俾可将该板本体之上表面的电路图型连接至该板本体之下表面的电路图型;数个热发射通孔,该等热发射通孔系形成在该板本体上并且系定位于该晶片贴附区域下面;及一抗焊剂,除了该上表面之电路图型的一部份和该下表面的焊球垫之外,该抗焊剂系涂覆于该板本体的整个表面上,该上表面之电路图型的该部份系电气地连接至该半导体晶片;(b)经由该板本体的上表面来以一金属填充该等热发射通孔的内部;及(c)将该抗焊剂涂覆于包括该等以该金属填充之热发射通孔之板本体的上表面上。5.如申请专利范围第4项所述之制造印刷电路板的方法,其中,该(b)步骤包含:(b1)装载一个具有孔图型的罩体于该板本体的上表面上以致于该等孔图型系与该板本体的热发射通孔排成一直线;(b2)提供一金属涂胶到该罩体并且以网印方法将该金属涂胶涂覆于该等热发射通孔上;及(b3)在将该罩体从该板本体的上表面移去之后,藉着回流焊接法以该金属涂胶填充该等热发射通孔的内部。6.如申请专利范围第4项所述之制造印刷电路板的方法,其中,该(b)步骤包含:(b1)装载一个具有孔图型的罩体于该板本体的上表面上以致于该等孔图型系与该板本体的热发射通孔排成一直线;(b2)提供金属球到该罩体并且将该等金属球定心于该等热发射通孔上;及(b3)在将该罩体从该板本体的上表面移去之后,藉着回流焊接法以该等金属球填充该等热发射通孔的内部。7.如申请专利范围第4项所述之制造印刷电路板的方法,其中,该金属是为具有低熔点的金属。8.如申请专利范围第5项所述之制造印刷电路板的方法,其中,该金属是为具有低熔点的金属。9.如申请专利范围第6项所述之制造印刷电路板的方法,其中,该金属是为具有低熔点的金属。10.一种球形栅状阵列封装,包含:一板本体,该板本体具有一晶片贴附区域在其之上表面和数个焊球垫在其之下表面,一半导体晶片系贴附到该晶片贴附区域,而焊球系贴附到该等焊球垫;数个电路图型,该等电路图型系形成在该板本体的上和下表面上,在该上表面上的电路图型系定位于该晶片贴附区域周围俾可电气地连接至该半导体晶片,而在该下表面上的电路图型系连接至该等焊球垫;数个讯号通孔,该等讯号通孔系形成在该板本体上,俾可将该板本体之上表面的电路图型连接至该板本体之下表面的电路图型;数个热发射通孔,该等热发射通孔系形成在该板本体上并且系定位于该晶片贴附区域下面;一抗焊剂,除了该上表面之电路图型的一部份和该下表面的焊球垫之外,该抗焊剂系涂覆于该板本体的整个表面上,该上表面之电路图型的该部份系电气地连接至该半导体晶片;用以将该半导体晶片之晶片垫电气地连接至该等电路图型的电气连接装置;一封装本体,该封装本体系藉着封装该半导体晶片和该电气连接装置来形成;及数个焊球,该等焊球系贴附到该等焊球垫,其中,该等热发射通孔的内部系以一金属填充,且该等热发射通孔系以该抗焊剂涂覆。11.如申请专利范围第10项所述之球形栅状阵列封装,其中,该金属是为低熔点金属。12.如申请专利范围第11项所述之球形栅状阵列封装,其中,该等热发射通孔的内部系藉着网印方法来以该金属填充。13.一种用以制造球形栅状阵列封装的方法,包含如下之步骤:(a)制备该印刷电路板,其包含:一板本体,该板本体具有一晶片贴附区域在其之上表面和数个焊球垫在其之下表面,一半导体晶片系贴附到该晶片贴附区域,而焊球系贴附到该等焊球垫;数个电路图型,该等电路图型系形成在该板本体的上和下表面上,在该上表面上的电路图型系定位于该晶片贴附区域周围俾可电气地连接至该半导体晶片,而在该下表面上的电路图型系连接至该等焊球垫;数个讯号通孔,该等讯号通孔系形成在该板本体上,俾可将该板本体之上表面的电路图型连接至该板本体之下表面的电路图型;数个热发射通孔,该等热发射通孔系形成在该板本体上并且系定位于该晶片贴附区域下面;及一抗焊剂,除了该上表面之电路图型的一部份和该下表面的焊球垫之外,该抗焊剂系涂覆于该板本体的整个表面上,该上表面之电路图型的该部份系电气地连接至该半导体晶片;(b)经由该板本体的上表面来以一金属填充该等热发射通孔的内部;(c)将该抗焊剂涂覆于包括该等以该金属填充之热发射通孔之板本体的上表面上;(d)贴附具有数个晶片垫的半导体晶片到该晶片贴附区域;(e)藉由电气连接装置将该半导体晶片的晶片垫连接至该板本体之上表面的电路图型;(f)封装该半导体晶片和该电气连接装置;及(g)贴附焊球到该等焊球垫的下表面。14.如申请专利范围第13项所述之制造球形栅状阵列封装的方法,其中,该(b)步骤包含:(b1)装载一个具有孔图型的罩体于该板本体的上表面上以致于该等孔图型系与该板本体的热发射通孔排成一直线;(b2)提供一金属涂胶到该罩体并且以网印方法将该金属涂胶涂覆于该等热发射通孔上;及(b3)在将该罩体从该板本体的上表面移去之后,藉着回流焊接法以该金属涂胶填充该等热发射通孔的内部。15.如申请专利范围第13项所述之制造球形栅状阵列封装的方法,其中,该(b)步骤包含:(b1)装载一个具有孔图型的罩体于该板本体的上表面上以致于该等孔图型系与该板本体的热发射通孔排成一直线;(b2)提供金属球到该罩体并且将该等金属球定心于该等热发射通孔上;及(b3)在将该罩体从该板本体的上表面移去之后,藉着回流焊接法以该等金属球填充该等热发射通孔的内部。16.如申请专利范围第13项所述之制造球形栅状阵列封装的方法,其中,该金属是为具有低熔点的金属。17.如申请专利范国笔14项所述之制造球形栅状阵列封装的方法,其中,该金属是为具有低熔点的金属。18.如申请专利范围第15项所述之制造球形栅状阵列封装的方法,其中,该金属是为具有低熔点的金属。图式简单说明:第一图系描绘一习知BGA封装的横截面图。第二图系第一图中之PCB之热发射通孔的放大横截面图。第三图系描桧在本发明的BGA封装中,以低熔点金属填充PCB之热发射通孔的横截面图。第四图系描绘本发明之PCB的立体图。第五图系用以描绘一晶片贴附区域之部份切除的放大立体图,一半导体晶片系贴附至该晶片贴附区域。第六图A系描绘在该等热发射通孔之下表面上之抗焊剂之涂覆的横截面图。第六图B条描绘以网印法来在第六图A中之热发射通孔之上表面上之金属涂胶之涂覆的横截面图。第六图C系描绘在第六图A中之热发射通孔之上表面上之金属球之定心的横截面图。第六图D系描绘藉由回流焊接法来以金属填充在第六图B或者第六图C中之热发射通孔的横截面图。第六图E系描枪在第六图D之处理之后在该等热发射通孔之上表面上之抗焊剂之涂覆的横截面图。
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