| 主权项 |
1.一种在半导体元件内形成一自动对准接触垫的方法,该方法包括以下步骤:在一半导体基底上形成复数个隔离闸极结构,其中每一该闸极结构包括一闸极电极层、在其上方的一闸极上盖层、以及一闸极间隙壁;在该基底以及该闸极电极层上形成一绝缘层以完全填满该闸极电极结构之间的空间;使用一接触垫形成罩幕并蚀刻该绝缘层以形成复数个开口而同时曝露该基底的复数个接触区;以相对该上盖层具有蚀刻选择性的导电层填塞该开口;回蚀该导电材质以及该绝缘层直到曝露该上盖层的上表面,并且形成复数个接触垫与该基底的该对应接触区电性连接但彼此电性隔离;以及其中在该上盖层上进行回蚀,以便在该回蚀过程的最终相对该导电材质具有一蚀刻选择性。2.如申请专利范围第1项所述的方法,其中形成该闸极结构的该步骤包括:沉积该闸极电极层以及该闸极上盖层;使用一闸极形成罩幕并图案化该上盖层以及该闸极电极层;以及沉积一间隙壁形成层并对其进行回蚀以形成该间隙壁。3.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该闸极电极层是由一多晶矽以及在其上方的一金属矽化物所制作而该上盖层是由一氮化矽以及一氧化物的一双层结构或其组台的一多层结构所制作。4.如申请专利范围第3项所述的方法,其中所形成的该多晶矽与金属矽化物的厚度分别是在大约1000埃的范围内,所形成的该氮化矽的厚度大约是在1000至2000埃的范围内,而所形成的该氧化物的厚度大约是在300至1000埃的范围内。5.如申请专利范围第1项所述的方法,其中在形成一绝缘层的该步骤之前在该导电结构以及该基底上形成一蚀刻中止层,而在该蚀刻该绝缘层的该步骤后蚀刻曝露该蚀刻中止层。6.如申请专利范围第5项所述的方法,其中该蚀刻中止层包括一氮化矽并具有大约50至200埃的一厚度范围。7.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该绝缘层包括一硼磷矽玻璃氧化物(borophosphosilicate glass oxide, BPSGoxide)、未掺杂矽玻璃(undopedsilicate-glass, USG)氧化物、以及高密度电浆(high density Plasma, HDP)氧化物并具有大约3500至5500埃的一厚度范围。8.如申请专利范围第1项所述的方法,其中回蚀该导电材质以及该绝缘层的该步骤包括选择性将该导电层向下回蚀至该绝缘层,并且以之间具有大约1:1的一蚀刻率同时将该导电材质以及该绝缘层向下回蚀至该上盖层的该上表面。9.如申请专利范围第1项所述的方法,其中回蚀该上盖层的步骤相对该导电材质具有大约2:1到4:1的一蚀刻率。10.如申请专利范围第8项所述的方法,其中将该导电材质向下选择性回蚀该绝缘层的该步骤是使用包含六氟化矽(SF6)以及四氟化碳(CF4)的混合气体。11.如申请专利范围第8项所述的方法,其中回蚀该导电材质以及该绝缘层的该步骤是使用包含六氟化矽(SF6)、四氟化碳(CF4)、以及三氟化碳(CHF3)的混合气体。12.如申请专利范围第9项所述的方法,其中该回蚀步骤是使用包含四氟化碳以及三氟化碳的混合气体。图式简单说明:第一图是根据本发明绘示SAC垫的上视平面视图;以及第二图A到第二图F是依照第一图中沿A-A'线的剖面,绘示SAC垫之形成方法的流程图。 |
