发明名称 制作积体电路之方法及装置
摘要 一种制作积体电路(lll0)之方法,该方法包含步骤为:(a)提供一种液态先质(64);(b)放置基质(5)于一封闭之沉积室(2)之内;(c)产生该液态先质之雾体(66);(d)降低该雾体之粒度;(e)使该已降低粒度之雾体流通经过该沉积室而在该基质上形成一层先质液体;(f)处理沉积于基质上之液层使成固态物质之膜(1130);及(g)完成该积体电路(lll0)之制作使在积体电路之一零件(1112)中至少局部包含该固态物质之膜(1130)。并揭示制作积体电路之装置。
申请公布号 TW413840 申请公布日期 2000.12.01
申请号 TW086105546 申请日期 1997.04.28
申请人 西门特克斯公司;松下电子工业股份有限公司 日本 发明人 林慎一郎;拉瑞D.马米兰;吾妻正道;卡洛斯A.佩斯得黑洛裘
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 何金涂 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1.一种制作积体电路(1110)之方法,该方法包含步骤为:(a)提供一种液态先质(64);(b)放置基质(5)于一封闭之沉积室(2)之内;(c)产生该液态先质之雾体(66);(d)降低该雾体之粒度;(e)使该己降低粒度之雾体流通经过该沉积室而在该基质上形成一层先质液体;(f)处理沉积于基质上之液层使成固态物质之膜(1130);及(g)完成该积体电路(1110)之制作使在积体电路之一零件(1112)中至少局部包含该固态物质之膜(1130)。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该降低雾之粒度之步骤包含使雾流通于一缓冲室(42)。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该缓冲室包含一容器,其为足够大至能够使形成表面形态之问题之雾粒在该缓冲室中能够沉降。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该缓冲室为足够大至可使该缓冲室中大于2微米大小之粒子被沉降。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该降低雾之粒度之步骤包含过滤该雾。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该滤器包含一不锈钢纱网(310)。7.如申请专利范围第5项之方法,其中该纱网包含具有面积达1微米之孔目(315)。8.如申请专利范围第1项之方法,其中当雾流通经过沉积室时,沉积室被维持于实质室温。9.如申请专利范围第1项之方法,其中该先质(64)包括先质溶剂内之金属化合物,该金属化合物择自该群:金属烷氧化物,金属羧酸盐及金属烷氧羧酸盐。10.如申请专利范围第1项之方法,其中该方法包括一步骤,在该流通步骤期间施加直流电偏压至沉积室(2)内之元件(6)及该基质(5)之间。11.一种制作积体电路(1110)之装置(1),包含:(a)一沉积室(2);(b)一基质(5)置于该沉积室之内,该基质界定一基质平面;(c)一种器具(46-1)用于产装液态先质(64)之雾体(66);(d)一种器具(8,10)用于使该雾体流通经过该沉积室以在该基质上形成一层先质液态;以及(e)一种器具(33,40)用于在该雾体流经该沉积室之前,降低雾体之粒度。12.如申请专利范围第11项之装置,其中进一步包含装置(726,709),用于维持该沉积室为真空状态。13.如申请专利范围第11项之装置,其中包含器具(18)用于在该雾体被沉积于基质上时旋转该基质于一平行于该基质平面之平面。14.如申请专利范围第11项之装置,其中包含器具(16)用于当雾流通过经过沉积室时施加紫外线辐射至该雾上。15.如申请专利范围第11项之装置,其中进一步包含器具(16,726,709),用于处理该被沉积于基质上之液层,使形成一个固态物质之膜于基质上。16.如申请专利范围第15项之装置,其中该用于处理之器具包括下列之一或更多者:一紫外辐射源(16)用于施加紫外辐射至该基质上之该液层;用于乾燥在该基质上沉积液层的器具;用于维持该沉积室于次大气压之器具(726,709)。17.如申请专利范围第11项之装置,其中该用于降低雾体之粒度之器具包含一缓街室(42),雾体经过其间,该缓冲室位于该用于产生雾体流通之器具(46-1)与用于使雾体流通之器具(8,18)之间。18.如申请专利范围第17项之装置,其中该缓冲室包含一容器,其为足够大至能够使形成表面形态之问题之雾粒在该缓冲室中能够沉降。19.如申请专利范围第17项之装置,其中该缓冲室为足够大至可使该缓冲室中大于2微米大小之粒子被沉降。20.如申请专利范围第11项之装置,其中该用于降低雾体之粒度之器具包含一滤器(33)用于过滤该雾体。21.如申请专利范围第11项之装置,其中该滤器包含一不锈钢纱网(310)。22.如申请专利范围第20项之装置,其中该纱网包含具有面积达1微米之孔目(315)。23.如申请专利范围第11项之装置,其中当雾流通过沉积室时,沉积室被维持于实质室温。24.如申请专利范围第11项之装置,其中该先质(64)包括先质溶剂内之金属化合物,该金属化合物择自该群:金属烷氧化物,金属羧酸盐及金属烷氧羧酸盐。25.如申请专利范围第11项之装置,其中该装置包含一器具(102,104,106)用于施加直流电使沉积室(2)内之元件(6)及该基质(5)之间产生偏压。图式简单说明:第一图为本发明雾化沉积系统之沉积室部份之侧剖面图;第二图为第一图系统之吸入与排清喷咀组合之平面图;第三图为第一图和第二图系统之吸入喷咀放大图;第四图为根据本发明雾化沉积系统产雾器之侧面示意图;第五图为根据本发明缓冲室与所附入出口之平面示意图;第六图为根据本发明表示制造积体电路方法之流程表;第七图为根据本发明之雾化沉积系统之较佳具体例;第八图与第九图表示一障隔板组合与基质之两种不同位置以展示障隔板与基质间可调整之关系;第十图为根据本发明之沉积室内展示紫外辐射源之设置之透视图;第十一图表示用本发明装置与方法制得之积体电路晶片之局部侧剖面图;及第十二图为在说明中对所述样品A、B、C和D,对于电容器样品漏泄电流密度与导电常数之图解。
地址 美国