| 主权项 |
1.一种供离轴磁电管溅镀无机氧化物用之改良型装置,其具有溅射枪、靶材、基质、气体流动治具与封闭室,其中之改良包括定位在基质与靶材间之具有至少一个气体入口与至少一个出口开口于歧管上之中空气体流动歧管,该出口开口系经定位以引导气体流体远离靶材且朝向基质之方向。2.根据申请专利范围第1项之装置,其中歧管系被定位于较欲沉积化合物于其上之基质更为接近靶材之位置处。3.根据申请专利范围第2项之装置,其中歧管系被定位于邻接并与溅射枪之黑色空间罩接触且环绕着经过其间暴露出靶材之开口,以使歧管之平面平行于靶材表面。4.根据申请专利范围第1项之装置,其中出口开口系被定位于面向远离靶材之歧管表面上。5.根据申请专利范围第4项之装置,其另外包含螺丝或可挠性喷嘴,经装入至少一个出口开口中,以个别阻断气体流动或引导气体流动。6.根据申请专利范围第4项之装置,其中歧管之出口开口系被定位成两群,以使于第一群中之开口系被定位在相对于歧管平面自约80至约110度之歧管表面上,且于第二群中之开口系被定位在相对于歧管平面自约30至约60度之歧管表面上,该第一群开口系以相隔距离与第二群开口相离。7.根据申请专利范围第6项之装置,其中第一群开口系被定位在相对于歧管表面约90度之位置,且第二群开口系被定位在相对于歧管表面约45度之位置。8.根据申请专利范围第1项之装置,其中歧管系呈中空环形环之形状。9.根据申请专利范围第6项之装置,其中歧管系呈中空环形环之形状,且其中第一群开口系集中环绕于该环上最靠近欲进行沉积之区域中心之点,且第二群开口系集中环绕于最远离欲进行沉积之区域中心之点。10.根据申请专利范围第1项之装置,其中气体流动被提供在整个歧管对称于一平面,该平面系藉在靶材之中心垂直于靶材表面之第一线与垂直于基质表面之第二线所定义且倘若此等两线交叉则在区域之中心将发生沉积。11.根据申请专利范围第10项之装置,其中诸开口系对称定位环绕于该平面。图式简单说明:第一图A系一典型实际之离轴平面磁电管溅射设备之图示。第一图B系利用第一图A之设备之溅射制程之图示。第二图系利用本发明之气体流动歧管设备之离轴平面磁电管溅射制程之图示。第三图系呈圆环状之本发明之气体流动歧管设备之平面图。第四图系呈圆环状之另一本发明之气体流动歧管设备之平面图。第五图系阶缘SNS Josephson接面之剖面图。第六图系改良型阶缘SNS Josephson接面之剖面图,其在介于超导体与正常金属间结合了绝缘层。第七图系YBa2Cu3O7-x之平面图,其中x系0至0.5之利用本发明之气体流动歧管装置藉离轴平面磁电管溅射所制得之样本。这些数目代表在样本之诸不同点上薄膜之沉积速率(每分钟毫微米)。第八图系YBa2Cu3O7-x之平面图,其中x系0至0.5之典型实际藉离轴平面磁电管溅射所制得之样本。这些数目代表在样本之诸不同点上薄膜之沉积速率(每分钟毫微米)。第九图系CeO2之平面图,其系利用本发明之气体流动歧管装置藉离轴平面磁电管溅射所制得之样本。这些数目代表在样本之诸不同点上薄膜之沉积速率(每分钟毫微米)。第十图系CeO2之平面图,其系典型实际藉离轴平面磁电管溅射所制得之样本。这些数目代表在样本之诸不同点上薄膜之沉积速率(每分钟毫微米)。第十一图系具有第五图结构且利用本发明之气体流动歧管装置藉离轴平面磁电管溅射所制得之一8微米宽之阶缘SNS JJ之电流-电压特性。通经装置之电流A以装置上之电压V为函数作图。 |
