| 主权项 |
1. 一种半导体装置的制造方法,于该半导体装置的 基板中具有渠沟,该半导体装置的制造方法包含以 下步 骤: 在该基板上形成第1绝缘膜,其具有预设开孔; 在该第1绝缘膜中的该开孔的内壁上设置第2绝缘 膜; 与 使用该第1绝缘膜与该第2绝缘膜所设的开孔作为 光罩 来形成渠沟。2. 一种半导体装置的制造方法,于该 半导体装置的 基板中具有渠沟,该半导体装置的制造方法包含以 下步 骤: 在该基板上形成第1绝缘膜,其具有预设开孔; 使用该第1绝缘膜中的开孔作为光罩来形成渠沟; 藉由沈积在该渠沟的内壁上来形成磊晶层;与 在该磊晶层的内壁上设置第2绝缘膜。3. 如申请专 利范围第1项所述之半导体装置的制造方 法,其中该第1绝缘膜为氮化矽膜;且 该第2绝缘膜为氧化矽膜。4. 如申请专利范围第2 项所述之半导体装置的制造方 法,其中 该第1绝缘膜为氮化矽膜; 该第2绝缘膜为氧化矽膜;且 该磊晶层系以矽所形成。5. 一种半导体装置的制 造方法,包含以下步骤: a) 在矽基板上连续地形成第1氧化矽膜2与氮化矽 膜 3; b) 藉由光蚀刻步骤在该第1氧化矽膜2与该氮化矽 膜3 中形成开孔; c) 在该氮化矽膜3中的开孔的侧壁上配置氧化矽膜 隔 板5; d) 使用该氮化矽膜3与氧化矽膜隔板5作为光罩来 形 成渠沟6; e) 在该渠沟6的内壁上形成第3氧化矽膜7; f) 将第4氧化矽膜8埋入该渠沟6的内部中; g) 除去该氮化矽膜3;与 h) 除去突出于该基板上的第3氧化矽膜7与第4氧化 矽 膜8。6. 半导体装置的制造方法包含以下步骤: a) 在矽基板上连续地形成第1氧化矽膜12与氮化矽 膜 13; b) 藉由光蚀刻步骤在该第1氧化矽膜12与该氮化矽 膜 13中形成开孔; c) 使用该第1氧化矽膜12与氮化矽膜13作为光罩来 形 成渠沟15; d) 藉由沈积在该渠沟的内壁上来形成磊晶矽层16; e) 在该磊晶矽层16的内壁上配置第2绝缘膜17; f) 将第3氧化矽膜18埋入该渠沟15的内部中; g) 除去该氮化矽膜3;与 h) 除去突出于该基板上的第3氧化矽膜7与第4氧化 矽 膜8。7. 一种半导体装置,于其基板中具有渠沟,其 中: 所设置的渠沟系使用氮化矽膜与氧化矽膜隔板作 为光 罩所形成,其中该氮化矽膜系形成在设有预设开孔 的基板 上;且该氧化矽膜隔板系配置在该氮化矽膜的内壁 上; 将氧化矽膜填入到该渠沟的内部中;且于其中 在填入该渠沟的该氧化矽膜的表面未设有凹部。8 . 一种半导体装置,包含有使用形成于基板上之设 有预设开孔的氮化矽膜作为光罩所形成的渠沟,其 中: 将矽磊晶层设在该渠沟的内壁上; 将氧化矽膜填入该渠沟的内部中;且其中 在填入该渠沟的该氧化矽膜的表面未设凹部。 |
