| 主权项 |
1.一种半导体制程中蚀刻设备之管路系统,该系统至少包含:蚀刻反应室,用以容纳晶圆并对该晶圆进行蚀刻制程;排气管路,与该蚀刻反应室相连通,用以排送该蚀刻反应室中之制程废气;冷却气体输入管路,与该蚀刻反应室相连通,用以输入冷却气体流经该晶圆的背面,以冷却该晶圆的温度;冷却气体旁通管路,该冷却气体旁通管路之一端与该冷却气体输入管路连接,另一端则与该排气管路连接,用以调节该冷却气体输入管路之该冷却气体的流量;以及加热器,位于该冷却气体旁通管路与该排气管路接合处之外侧,用以对该接合处加热以防止制程微粒附着于该接合处。2.如申请专利范围第1项之管路系统,更包含一质流控制器,该质流控制器与该冷却气体输入管路相连,用以控制输入该冷却气体输入管路与该冷却气体旁通管路之该冷却气体的流量。3.如申请专利范围第1项之管路系统,更包含一闸阀连接于该冷却气体输入管路与该蚀刻反应室之间,用以开启及关闭该冷却气体输入管路。4.如申请专利范围第1项之管路系统,更包含一闸阀连接于该冷却气体旁通管路与该排气管路之间,用以开启及关闭该冷却气体旁通管路。5.如申请专利范围第1项之管路系统,更包含一真空泵连通于该排气管路,用以抽送该制程废气与该冷却气体至该蚀刻反应室之外侧。6.如申请专利范围第5项之管路系统,更包含一压舱气体输入管路,连接于该蚀刻反应室与该真空泵之间的该排气管路之上,用以调整该真空泵中气体压力与浓度。7.如申请专利范围第6项之管路系统,更包含一质流控制器与该压舱气体输入管路相连,用以控制该压舱气体输入管路中压舱气体的流量。8.如申请专利范围第7项之管路系统,其中上述之压舱气体包含氮气(Nitrogen)。9.如申请专利范围第1项之管路系统,其中上述之冷却气体旁通管路的外径约为6.37mm。10.如申请专利范围第1项之管路系统,其中上述之加热器包含一种加热带。11.如申请专利范围第1项之管路系统,其中上述之冷却气体包含氦气(Helium)。12.一种半导体制程中蚀刻设备之管路系统,该系统至少包含:蚀刻反应室,用以容纳晶圆并对该晶圆进行蚀刻制程;排气管路,与该蚀刻反应室相连通,用以排送该蚀刻反应室中之制程废气;真空泵,与该排气管路相连,以经由该排气管路抽送该制程废气;冷却气体输入管路,与该蚀刻反应室相连通,用以输入冷却气体流经该晶圆的背面,以冷却该晶圆的温度;冷却气体旁通管路,该冷却气体旁通管路之一端与该冷却气体输入管路连接,另一端则与该排气管路连接,用以调节该冷却气体输入管路之该冷却气体的流量;压舱气体输入管路,连接于该蚀刻反应室与该真空泵之间的该排气管路之上,用以输入压舱气体以调整该真空泵中气体压力与浓度;以及加热器,位于该冷却气体旁通管路与该排气管路接合处,以及该压舱气体输入管路与该排气管路接合处之管壁外侧,用以对该接合处加热以防止制程微粒附着于该接合处。13.如申请专利范围第12项之管路系统,更包含一质流控制器,该质流控制器与该冷却气体输入管路相连,用以控制输入该冷却气体输入管路与该冷却气体旁通管路之该冷却气体的流量。14.如申请尊利范围第12项之管路系统,更包含一闸阀连接于该冷却气体输入管路与该蚀刻反应室之间,用以开启及关闭该冷却气体输入管路。15.如申请专利范围第12项之管路系统,更包含一闸阀连接于该冷却气体旁通管路与该排气管路之间,用以开启及关闭该冷却气体旁通管路。16.如申请专利范围第12项之管路系统,其中上述之冷却气体旁通管路的外径约为6.37mm。17.如申请专利范围第12项之管路系统,其中上述之加热器包含一种加热带。18.如申请专利范围第12项之管路系统,其中上述之冷却气体包含氦气(Helium)。19.如申请专利范围第12项之管路系统,其中上述之压舱气体包含氮气(Nitrogen)。图式简单说明:第一图为本发明中应用于蚀刻设备之管路系统的功能方块示意图。第二图为本发明之管路系统中,局部管路结构之正视图。 |
