发明名称 突起电极形成方法
摘要 以往之可以适用于需要多数个之突起电极半导体装置之突起电极之形成方法,乃均有材料上之限制,或无法制作备有充分之体积或高度之偏差少等等有很多之限制。本发明系使用焊锡球及备有多数之贯通孔之工模,将该工模对于半导体装置之垫面实施对准定位之状态下,将焊锡球填充于贯穿孔,再加以加工由而将焊锡球固定于垫上,然后实施反流以资形成突起电极也。
申请公布号 TW413999 申请公布日期 2000.12.01
申请号 TW088108411 申请日期 1999.05.21
申请人 日立制作所股份有限公司 发明人 井上康介;西村朝雄;铃木高道;藤井辉;森岛雅行;中岛靖之;大录范行
分类号 H05K3/34 主分类号 H05K3/34
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种突起电极形成方法,主要系在于半导体装置上形成突起电极之突起电极之形成方法中,其特征为具有:在于突起电极形成位置上,对准定位备有贯穿孔之工模与半导体装置之过程,及在上述工模上供给导电性粒子,而将导电性粒子填充于上述工模之贯穿孔,由半导体装置上去除工模之焊锡球填充过程,及加热导电性粒子及半导体装置之加热过程,而构成者。2.如申请专利范围第1项所述之突起电极形成方法,其中上述工模之贯穿孔中,填充导电性粒子侧之直径系,所使用之导电性粒子之直径之1倍以上且未满2倍,而相对于半导体装置之侧之直径即,所使用之导电性粒子之直径之1倍以上者。3.如申请专利范围第1项所述之突起电极形成方法,其中上述工模之贯穿孔之深度系所使用之导电性粒子之直径之1.5倍未满者。4.如申请专利范围第1项所述之突起电极形成方法,其中使上述工模之贯穿孔之直径变化于贯穿孔之中心轴方向者。5.如申请专利范围第1项所述之突起电极形成方法,其中在先于上述对准定位过程,备有对半导体装置上供给焊剂,焊锡膏,导电性接着剂等之固定液之固定液供给过程者。6.如申请专利范围第5项所述之突起电极形成方法,其中在该固定液供给过程中所供给之焊剂,焊锡膏,导电性接着剂固定液系,选择的供给于半导体装置之垫面上者。7.如申请专利范围第6项所述之突起电极形成方法,其中该选择的将焊剂,焊锡膏,导电性接着剂等之固定液供给于半导体装置之垫上之方法系采用印刷法者。8.如申请专利范围第5项所述之突起电极形成方法,其中在固定液供给过程中所供给之焊剂,焊锡膏,导电性接着剂等之固定液乃全面地供给于半导体装置之垫面侧者。9.如申请专利范围第5项所述之突起电极形成方法,其中与供给于上述工模及半导体装置之焊剂,焊锡膏,导电性接着剂不接触地设置有间隔者。10.如申请专利范围第1项所述之突起电极形成方法,其中在焊锡球填充过程中之导电性粒子之对于贯穿孔之填充系,藉由刷子之并进运动来实施者。11.如申请专利范围第1项所述之突起电极形成方法,其中在焊锡球填充过程中之导电性粒子之对于贯穿孔之填充系,藉由抹刀状之滑动体等之并进运动来实施者。12.如申请专利范围第1项所述之突起电极形成方法,其中在焊锡球填充过程中之导电性粒子之对于贯穿孔之填充系,藉由气体流来实施者。13.如申请专利范围第1项所述之突起电极形成方法,其中在焊锡球填充过程中之导电性粒子之对于贯穿孔之填充系,藉由振动来实施者。14.如申请专利范围第1项所述之突起电极形成方法,其中在焊锡球填充过程中之导电性粒子之对于贯穿孔之填充系,藉由令工模及半导体装置予以倾斜来实施者。15.如申请专利范围第1项所述之突起电极形成方法,其中在焊锡球填充过程中在从半导体装置上取除工模之前,设置了,将填充于贯穿孔内之导电性粒子压接于半导体装置上之垫地施予加压之加压过程者。16.如申请专利范围第1项所述之突起电极形成方法,其中在焊锡球之填充过程中,在于从半导体装置上去除工模之前,实施在各贯穿孔有无填充导电性粒子之检查,而如有漏填充时,对于有漏填充之贯穿孔中实施填充导电性粒子填充之再实施过程之后才进行下一项过程者。17.如申请专利范围第1项所述之突起电极形成方法,其中在加热过程之后实施半导体装置之洗净者。18.如申请专利范围第1项所述之突起电极形成方法,其中在于加热过程之后,将半导体装置切分为复数个者。19.如申请专利范围第1项所述之突起电极形成方法,其中在工模与半导体装置之对准定位过程中,以间隔件来实施维持工模半导体装置之间隔者。20.如申请专利范围第1项所述之突起电极形成方法,其中在焊锡球之填充过程中,从半导体装置上取除工模之后,设置为了将填充于贯穿孔之导电性粒子压接于半导体装置之垫上地实施加压之加压过程者。图式简单说明:第一图系依本发明之突起电极之形成流程图。第二图系依本发明之突起电极之形成流程图。第三图系依本发明之突起电极之形成流程图。第四图系半导体装置之一例及放大其一部份之图。第五图系表示本发明中之工模之图。第六图A,第六图B系对于半导体装置供给焊剂等之状态之图。第七图系将工模与半导体装置实施对准定位,而以细条状之间隔件来设定工模之罩部与半导体装置之间隙之状态之图。第八图系将工模与半导体装置实施对准定位,而以钢丝状之间隔件来设定工模之罩部与半导体装置之间隙之状态之图。第九图系将工模与半导体装置实施对准定位,而以设定于罩面上之阶级差来设定工模之罩部与半导体装置之间隙之状态之图。第十图系在填充过程中使用滑动件之例之图。第十一图系在填充过程中使用空气流之例之图。第十二图系在填充过程中使用振动之例之图。第十三图系在填充过程中使用工模及半导体装置之倾斜之例子之图。第十四图系在加压时使用突起电极之加压工具之例之图。第十五图系在加压时使用凹状之加压工具之例之图。第十六图系在加压时使用加压面系弹性体之加压工具之例之图。第十七图系将工模之贯穿孔之直径变化于贯穿孔之中心轴方向之例子之剖面图。
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