发明名称 | 一种新结构薄膜热电堆 | ||
摘要 | 本发明是一种用半导体集成电路工艺和微机械工艺制造的薄膜热电堆。以硅片为衬底,热电堆中的热电偶由二种热电薄膜条夹在二氧化硅和氮化硅膜隔离层中,并通过引线孔串联成热电堆。热电堆中心为热端辐射吸收接收区,下面是凹坑和冷端硅片框架,凹坑顶部为电介质支撑膜。芯片上还设计有使热端暴露接收辐照,冷端和热电偶条被盖住的绝缘隔热膜以及膜上的一层或多层高反射散热层。是一种性能优良,作了实质性改进的薄膜热电堆。 | ||
申请公布号 | CN1274953A | 申请公布日期 | 2000.11.29 |
申请号 | CN00116552.6 | 申请日期 | 2000.06.16 |
申请人 | 中国科学院上海冶金研究所 | 发明人 | 沈德新;卢建国 |
分类号 | H01L35/00;G01K7/02 | 主分类号 | H01L35/00 |
代理机构 | 上海华东专利事务所 | 代理人 | 季良赳 |
主权项 | 1、一种采用半导体集成电路工艺和微机械工艺制造的薄膜红外辐射热电堆,包括双面抛光衬底硅片;硅片上的双面二氧化硅(或氮化硅)薄膜层;硅片一面二氧化硅(或氮化硅)层上的氮化硅(或二氧化硅)薄膜层;氮化硅(或二氧化硅)薄膜层上组成热电偶的热电薄膜条;热电薄膜条上的绝缘膜;绝缘膜上的另一种组成热电偶的热电薄膜条;热电薄膜条连接成热电偶并串联成热电堆的引线孔和外引线连接点;芯片热电堆衬底硅片上的凹坑,凹坑四周热电偶冷端衬底硅片框架,凹坑顶部热电偶热端的电介质支撑膜以及红外辐射接收区上的辐射吸收层,其特征在于热电堆中组成热电偶的热电薄膜条上面,有使热电偶热端(热结)暴露,冷端(冷结)及热电偶条被掩盖住的绝缘隔热薄膜层以及绝缘隔热层上的一层或多层高反射散热层。 | ||
地址 | 200050上海市长宁区长宁路865号 |