| 发明名称 | 非还原介质陶瓷和单片陶瓷电容器 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种非还原介质陶瓷,具有由化学式ABO<SUB>3</SUB>表示钙钛矿结构,具有含有钛酸钡作为主要成份的主要结晶相。在25摄氏度或更高的温度,通过X射线衍射法确定的结晶轴比率c/a满足关系1.000≤c/a≤1.003。较好地,非还原介质陶瓷具有小于－25摄氏度的相转变温度。较好地,非还原介质陶瓷包含至少一种稀土元素。还揭示了包含由根据本发明的非还原介质陶瓷构成的介质陶瓷层的单片陶瓷电容器。 | ||
| 申请公布号 | CN1274931A | 申请公布日期 | 2000.11.29 |
| 申请号 | CN00117674.9 | 申请日期 | 2000.05.24 |
| 申请人 | 株式会社村田制作所 | 发明人 | 水埜嗣伸;中村友幸;佐野晴信 |
| 分类号 | H01B3/12;C04B35/468;H01G4/12;H01G4/008;H01G4/30 | 主分类号 | H01B3/12 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 沈昭坤 |
| 主权项 | 1.一种非还原介质陶瓷，具有由化学式ABO3表示的钙钛矿结构，具有含有钛酸钡为主要成份的主要结晶相，其中，在-25摄氏度或更高温度下，通过X射线衍射法确定的结晶轴比率c/a满足关系：1.000≤c/a≤1.003。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||