发明名称 METHOD AND APPARATUS FOR CORRECTING A MULTILEVEL CELL MEMORY BY USING INTERLEAVING
摘要 <p>멀티레벨 셀 메모리 어레이(250)에 있는 에러를 정정하기 위한 방법 및 장치가 설명되어 있다. 멀티레벨 셀 메모리 어레이(250)는 각각 두 비트 이상의 데이터를 저장할 수 있는 멀티레벨 셀을 포함한다. 멀티레벨 셀 메모리 디바이스(204)는 복수의 데이터 비트(332)를 수신한다. 복수의 비트(332)는 두 개 이상의 데이터 워드(334,336)로 분류(330)된다. 에러 정정 코드(364,366)는 두 개 이상의 데이터 워드(334,336) 각각에 대하여 발생된다. 두 개 이상의 데이터 워드(334,336) 각각으로부터 한 비트를 포함하는 메모리 요소 비트 패턴(390)이 형성된다. 메모리 요소 비트 패턴과 관계된 충전 상태가 멀티레벨 셀 중의 한 개에 저장된다.</p>
申请公布号 KR20000068504(A) 申请公布日期 2000.11.25
申请号 KR19997001918 申请日期 1999.03.06
申请人 发明人
分类号 G06F11/10;G11C11/56;G11C29/42 主分类号 G06F11/10
代理机构 代理人
主权项
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