发明名称 Electron emitter
摘要 <p>전자 이미터(121, 221, 321, 421)는 그 위에 형성된 패시베이션층(120, 220, 320, 420)을 갖는 전자 이미터 구조체(118)을 포함한다. 패시베이션층(120, 220, 320, 420)은 Ba, Ca, Sr, In, Sc, Ti, Ir, Co, Sr, Y, Zr, Ru, Pd, Sn, Lu, Hf, Re, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Th 및 그 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 산화물로 제조된다. 양호한 실시예에서, 전자 이미터 구조체(118)는 몰리브덴으로 제조되고, 패시베이션층(120, 220, 320, 420)은 몰리브덴의 일함수보다 적은 일함수를 갖는 방출-증진 산화물로 제조된다.</p>
申请公布号 KR20000068641(A) 申请公布日期 2000.11.25
申请号 KR19997002617 申请日期 1999.03.26
申请人 发明人
分类号 H01J1/304;H01J1/30 主分类号 H01J1/304
代理机构 代理人
主权项
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