| 摘要 |
<p>본 발명은 후면에 금속층을 갖는 반도체 바디에 관한 것이다. 베이스 물질에 대한 접착성을 저하시키지 않고 반도체 웨이퍼의 변형을 현저히 감소시키기 위해서, 납땜 전에 실리콘으로부터 베이스 플레이트 방향으로 알루미늄층 및 티타늄으로 이루어진 확산 차단층을 제공하는 새로운 후면 금속층 시스템이 제안된다. 티타늄층에는 티타늄 질화물층이 삽입된다. 왜냐 하면, 상기 티타늄 질화물층이 발생하는 웨이퍼 변형의 대부분을 보상할 수 있기 때문이다. 알루미늄층과 실리콘 반도체 바디 사이의 저항 콘택을 개선하기 위해 통상적인 열처리는 바람직하게 반도체 바디의 완전한 금속층 데포지션 후에 실행되는 것이 아니라 실리콘 반도체 바디 상에서의 얇은 알루미늄층의 데포지션 후에 실행된다.</p> |
