| 摘要 |
<p>본 발명은, 내부공간의 벽면에 백금코팅피막을 구비한 반응로 본체 내로 수소와 산소를 공급하고, 백금의 촉매작용에 의해 수소 및 산소의 반응활성을 높이는 것과 함께, 반응활성을 높인 수소와 산소를 수소혼합가스의 발화온도보다 낮은 온도하에서 순식간에 반응시켜, 고온연소하지 않고 수분을 발생시키도록 한 반도체 제조용 수분의 발생방법에 있어서, 수분발생용 반응로의 기동 및 정지시에서의 발생수분 내의 미반응 수소의 양을 감소시켜, 반도체 제조장치의 안전성을 높이는 것과 함께, 수분산화법에 의한 Si산화막 입힘 등이 방해되지 않도록 한다. 구체적으로는, 내부공간의 벽면에 백금코팅피막을 구비한 반응로 본체 내로 수소와 산소를 공급하여 수분을 발생시킬 때에는, 우선 산소의 공급을 개시하는 것과 함께, 이것 보다 약간 느리게 수소의 공급을 개시한다. 또한, 반응로 본체 내에 수소와 산소의 공급을 정지시키기 위하여 수분의 발생을 정지시킬 때에는, 먼저 수소의 공급을 정지시키는 것과 함께, 이것 보다 약간 느리게 산소의 공급을 정지시킨다.</p> |
