发明名称 - Alkylsulfonyloximes for high resolution I-line photoresists of high sensitivity
摘要 <p>본 발명은 알칼리 매질 중에서 현상할 수 있고 340 내지 390㎚의 파장에서 광 조사에 민감하며 상기 언급된 파장 범위에 대한 포지티브 및 네가티브 감광성 내식막을 상응하게 구성하는 화학적으로 증폭된 감광성 내식막에서 감광성 산 발생제로서의 화학식 1의 옥심 알킬 설포네이트의 용도에 관한 것이다. 화학식 1 상기식에서, R은 나프틸,또는이고; R는 R-X 그룹 또는 R이고; X는 직접 결합, 산소 원자 또는 황 원자이고; R은 수소, C-C-알킬 또는 비치환되거나 클로로, 브로모, C-C-알킬 및 C-C-알킬옥시로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 치환기에 의해 치환되는 페닐 그룹이고; R는 수소 또는 C-C-알킬이며; R은 비치환되거나 하나 이상의 할로겐 원자에 의해 치환되는 직쇄 또는 측쇄 C-C-알킬이다.</p>
申请公布号 KR20000068387(A) 申请公布日期 2000.11.25
申请号 KR19997001646 申请日期 1999.02.27
申请人 null, null 发明人 디틀리커쿠르트;쿤츠마르틴;야마토히토시;데레오크리스토프
分类号 C07C309/65;C07C309/66;C07D333/22;C07D333/24;G02B5/20;G03F7/00;G03F7/004;G03F7/038;G03F7/039;G03H1/02;H01L21/027 主分类号 C07C309/65
代理机构 代理人
主权项
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