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<p>반도체 박막의 제조 방법이 진공 챔버에 원료 가스를 공급하는 공정과, 상기 공급된 원료 가스를 고주파 전력의 인가에 의한 고주파 유도 결합 플라즈마(ICP) 를 사용한 플라즈마 분해에 의해 분해하며, 상기 분해된 원료 가스를 사용한 화학 기상 성장 프로세스에 의해 기판상에 소정의 반도체 박막을 형성하는 공정을 포함하며, 상기 반도체 박막의 형성시의 상기 기판의 가열 온도를 제어함으로써, 상기 형성되는 반도체 박막의 결정 상태를 제어한다.</p> |
