| 摘要 |
본 발명은 α-탄화규소 단결정기재(1)의 표면에 PVD법 또는 열 CVD법에 의해 10μm 이상 두께의 β-탄화규소 다결정판(2)에 막을 형성하여 생성된 복합체(M)을 1650∼2400℃ 범위의 온도에서 열처리하여 β-탄화규소 다결정판(2)의 다결정체를 단결정으로 변태시켜 α-탄화규소 단결정기재(1)의 결정축과 동일한 방위로 배향된 단결정을 성장시키므로서, 마이크로파이프결함 및 이에 영향을 받은 결함이 거의 없는 고품위의 단결정 탄화규소를 용이하고 효율적으로 제조할 수 있게한 것이다. |
