| 发明名称 |
Halbleiteranordnung mit die Inversion hemmenden Schichten mit einer Vielzahl von Höchstwerten für die Dotierungskonzentrationen entlang der Tieferichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69033516(T2) |
申请公布日期 |
2000.11.23 |
| 申请号 |
DE19906033516T |
申请日期 |
1990.06.12 |
| 申请人 |
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI |
发明人 |
TAGUCHI, MINORU |
| 分类号 |
H01L29/73;H01L21/331;H01L21/761;H01L21/762;H01L21/8249;H01L27/06;H01L29/732;(IPC1-7):H01L21/76 |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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