| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrates mit einer dielektrischen Isolationsstruktur |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69132157(T2) |
申请公布日期 |
2000.11.23 |
| 申请号 |
DE1991632157T |
申请日期 |
1991.11.27 |
| 申请人 |
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI |
发明人 |
HOSHI, TADAHIDE |
| 分类号 |
H01L21/74;H01L21/321;H01L21/762;H01L21/763;(IPC1-7):H01L21/76 |
主分类号 |
H01L21/74 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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