| 发明名称 | 半导体工艺中顶层光刻成像的改善 | ||
| 摘要 | 一种腐蚀表面(12)的方法包括以下步骤:在表面上形成底层(14)而顶层(16)形成在底层上;在顶层刻图形以暴露出底层的某些部分;在底层的暴露部分形成含硅层(22);除去顶层,暴露出底层未被硅层覆盖的部分;腐蚀底层未被硅层覆盖的部分,暴露出表面。 | ||
| 申请公布号 | CN1274170A | 申请公布日期 | 2000.11.22 |
| 申请号 | CN00106712.5 | 申请日期 | 2000.04.12 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术北美公司 | 发明人 | S·布特;U·P·施勒德 |
| 分类号 | H01L21/302;H01L21/027;G03F7/00 | 主分类号 | H01L21/302 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 梁永;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种腐蚀表面的方法，包括以下步骤：在表面上形成底层和在底层上形成顶层；在顶层刻图形以使底层的某些部分暴露出来；在底层暴露的部分形成含硅层；除去顶层，暴露出底层未被硅层覆盖的部分；腐蚀底层未被硅层覆盖的部分以露出表面。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||