制造CMOS晶体管的方法

摘要

本发明涉及一种制造ＣＭＯＳ晶体管的方法，能进一步减少芯片的尺寸，因为ＰＭＯＳ晶体管的栅电极和ＮＭＯＳ晶体管的栅电极，在形成栅电极工艺的期间，直接由多晶硅相互连接，不需要考虑金属接触工艺的袼度，该方法还能利用在多晶硅布线下面的有源区形成单元间隔区，防止寄生晶体管的形成。

主权项

1.一种制造CMOS晶体管的方法，包括下列步骤：在形成N-阱的P-衬底中，限定场区和有源区；在所述场区中形成场氧化膜；在所述N-阱边缘选择部分形成单元隔离区；在所述N-阱中，形成具有公共栅电极，第1连接部分和第2连接部分的PMOS晶体管，形成具有公共栅电极，第3连接部分和第4连接部分的NMOS晶体管；沿所述N-阱边缘部分形成收集区；形成所述收集区后在获得的结构上形成层间绝缘膜；利用金属接触工艺，用第1金属布线连接所述第1连接部分和所述第3连接部分，用第2金属布线连接所述第2连接部分和所述第4连接部分。