| 发明名称 | 带有绝缘环的沟槽式电容器和相应的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一沟槽电容器,特别用于半导体存储器单元(100),具有在衬底(101)上形成的绝缘环(168)和沟槽(108);在所述沟槽(108)的上部形成所述绝缘环(168);可选的掩埋板(165)在沟槽(108)下部周围的衬底区作为第一电容器极板绝缘层(164)衬垫所述沟槽(108)下部和所述绝缘环(168)作为电容器绝缘体;第二导电填充材料(161)填充在沟槽(108)中作为第二电容器极板;其中沟槽(108)下部的直径至少等于沟槽(108)上部的直径。而且,本发明给出了相应的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1274176A | 申请公布日期 | 2000.11.22 |
| 申请号 | CN99108474.8 | 申请日期 | 1999.06.15 |
| 申请人 | 西门子公司 | 发明人 | M·施雷姆斯 |
| 分类号 | H01L27/04;H01L27/108;H01L21/8242 | 主分类号 | H01L27/04 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 邹光新;王忠忠 |
| 主权项 | 1.沟槽电容器，特别是用在半导体存储器单元(100)中，具有一绝缘环(168)，包含：形成于衬底(101)上的沟槽(108)；所述绝缘环(168)形成于沟槽(108)的上部分；可选的掩埋板(165)在沟槽(108)下部周围的衬底区作为第一电容器极板；绝缘层(164)衬垫在沟槽(108)和所述绝缘环(168)之间作为电容器绝缘体；导电的第二填充材料(161)填充在沟槽(168)内作为第二电容器极板；其中所述沟槽(108)下部的上端直径至少等于所述沟槽(108)上部的直径。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||