| 摘要 |
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un boîtier pour une puce (D) réalisée sur une plaquette semiconductrice (1). Ce procédé consiste à prévoir, sur une première face de la plaquette, une zone conductrice (8) hors de l'aplomb de la puce; à rapporter une première plaque épaisse (10) en un matériau électriquement isolant sur ladite première face; à découvrir la zone conductrice depuis une deuxième face de la plaquette (1) et à déposer une piste conductrice (12) s'étendant depuis un contact (11) de la deuxième face de la puce jusqu'à la face découverte de ladite zone conductrice; à recouvrir la deuxième face d'une deuxième plaque épaisse (14) formant un capot rigide; et à graver la première plaque au droit de la zone conductrice pour y déposer un matériau conducteur s'étendant, sous forme de piste (18), jusqu'à la surface libre de la première plaque.
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