METODO DE PROGRAMAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR DE MEMORIA.

摘要

SE PRESENTA UNA ESTRUCTURA DE CELDAS DE EEPROM PROGRAMABLE QUE CONSTA DE UNA ESTRUCTURA DE PUERTAS DIVIDIDAS EN SERIE CON UN CONDENSADOR DE ACOPLAMIENTO ENTRE LA PUERTA FLOTANTE (16) Y UNA PUERTA DE PROGRAMA ADICIONAL (19) PARA SUMINISTRAR UNA EFICIENCIA DE INYECCION MEJORADA. LA INYECCION DE ELECTRONES SE CONTROLA MEDIANTE UNA PUERTA DE CONTROL (17) EN EL LADO DE LA FUENTE. EL AREA DEL CONDENSADOR DE ACOPLAMIENTO SE SELECCIONA CON UN FACTOR DE ACOPLAMIENTO SUBSTANCIAL PARA APLICAR UNA ALTA TENSION A LA PUERTA FLOTANTE (16) DURANTE LA PROGRAMACION DE MANERA QUE SE PRODUZCA UNA INYECCION DE ELECTRONES CALIENTES EN EL PUNTO DE DIVISION EN LA REGION DEL CANAL ENTRE LA PUERTA DE CONTROL (17) Y LA PUERTA FLOTANTE (16). DE ESTA FORMA PUEDE CONSEGUIRSE UNA PROGRAMACION EN SUBMICROSEGUNDOS A UNA TENSION DE DRENAJE NO MAYOR DE 5 V.