| 摘要 |
<p>Bei einem bekannten Verfahren zum Reinigen von SiO2-Partikeln wird eine Schüttung der Partikel in einem Reaktor mit vertikal orientierter Mittelachse erhitzt und dabei einem Behandlungsgas ausgesetzt, das mit einer vorgegebenen Strömungsgeschwindigkeit von unten nach oben durch den Reaktor und die Schüttung geleitet wird. Um hiervon ausgehend ein verbessertes Reinigungsverfahren und eine dafür geeignete, einfache Vorrichtung bereitzustellen, wird hinsichtlich des Reinigungsverfahrens erfindungsgemäss vorgeschlagen, dass ein chlorhaltiges Behandlungsgas eingesetzt wird, dass im Bereich der Schüttung das Behandlungsgas auf eine Behandlungstemperatur von mindestens 1000 °C und dass die Strömungsgeschwindigkeit auf mindestens 10 cm/s eingestellt wird. Bei der erfindungsgemässen Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemässen Verfahrens ist für die Gaszuführung eine Gasdusche vorgesehen, die unterhalb der Schüttung eine Vielzahl von lateral zur Mittelachse verteilten Düsenöffnungen zur Einleitung des Behandlungsgases in die Schüttung aufweist. Die erfindungsgemäss gereinigte SiO2-Körnung aus natürlich vorkommendem Rohstoff ist durch einen Eisengehalt von weniger als 20 Gew.-ppb, vorzugsweise weniger als 5 ppb, einen Mangan-Gehalt von weniger als 30 Gew.-ppb, vorzugsweise 5 ppb, einen Lithium-Gehalt von weniger als 50 ppb, vorzugsweise 5 ppb sowie einen Chrom, Kupfer und Nickel-Gehalt von jeweils weniger als 20 Gew.-ppb, vorzugsweise 1 ppb, gekennzeichnet.</p> |
