| 发明名称 | 形成金刚石膜的方法 | ||
| 摘要 | 一种通过高频等离子体ＣＶＤ方法形成金刚石膜的方法，使用了电感耦合放电，并将高频波的频率设定在４０—２５０ＭＨｚ之间，由此将含碳的原料气体分解为等离子体状态，以在基体上形成金刚石膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1058534C | 申请公布日期 | 2000.11.15 |
| 申请号 | CN95108952.8 | 申请日期 | 1995.07.18 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 平林敬二;吉川俊明 |
| 分类号 | C23C16/27;C23C16/505 | 主分类号 | C23C16/27 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 徐汝巽 |
| 主权项 | 1.通过高频等离子体CVD方法形成金刚石膜的方法，包括：将含碳原料气体引入包括基体的反应空间内，向所述反应空间施加频率为40-250MHz的电感耦合放电，并形成上述原料气体的等离子体，和向所述基体施加20V-50V的正偏压以在基体上形成金刚石膜。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||