| 发明名称 | 半导体器件栅帽与栅足自对准的T形栅加工方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件栅帽与栅足自对准的T形栅加工方法,它用普通工艺设备,采用双层光刻胶,利用两种介质腐蚀速率差异大的特性,反应离子刻蚀后,去除腐蚀速率快的介质,由腐蚀速率慢的介质和光刻胶构成栅窗口。一次光刻,不用套刻,剥离后获得栅帽与栅足自对准、左右对称的T形栅,栅长最小可达0.1μm,降低了制版精度、光刻难度和加工成本,特别适合2英寸以上大圆片半导体器件研制生产,可推广应用。 | ||
| 申请公布号 | CN1273434A | 申请公布日期 | 2000.11.15 |
| 申请号 | CN00105221.7 | 申请日期 | 2000.04.05 |
| 申请人 | 信息产业部电子第十三研究所 | 发明人 | 丁奎章;宋力波;王同祥;冯震 |
| 分类号 | H01L21/027;H01L21/28;H01L21/31 | 主分类号 | H01L21/027 |
| 代理机构 | 河北省科技专利事务所 | 代理人 | 高锡明 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件栅帽与栅足自对准的T形栅加工方法，其特征在于它包含的加工步骤有：在砷化镓(1)衬底上淀积一层氮化硅(2)膜，氮化硅(2)膜上涂两层不同光刻胶(3)、(4)；用一块掩膜版放在光刻胶(4)上，对位曝光显影，光刻胶(4)上曝光显影出近似矩形的光刻胶窗口；大面积曝光显影，光刻胶(3)上曝光显影出近似矩形的比光刻胶(4)尺寸大的光刻胶窗口，露出胶窗口底部的氮化硅(2)；在光刻胶(4)上、光刻胶(4)窗口和光刻胶(3)窗口中淀积一层介质膜(5)，介质膜(5)淀积厚度为0.1μm至1.0μm；反应离子刻蚀光刻胶(4)上的介质膜(5)和光刻胶(3)、(4)窗口中底部氮化硅(2)上介质膜(5)和氮化硅(2)，在窗口底部的氮化硅(2)膜和介质膜(5)上得到尺寸缩小了的狭窄窗口；用氢氟酸腐蚀液去除掉所有的介质膜(5)，留下氮化硅(2)膜；对砷化镓(1)腐蚀挖槽后，在砷化镓(1)片上垂直蒸发势垒金属膜(6)，剥离掉砷化镓(1)上光刻胶(3)、(4)及光刻胶(3)、(4)上的势垒金属膜(6)，得到栅帽与栅足自对准的T形栅。 | ||
| 地址 | 050051河北省石家庄市合作路113号 | ||