| 发明名称 | 纳米TiO<SUB>2</SUB>在制备ZnO压敏电阻中的应用 | ||
| 摘要 | 一种纳米TiO<SUB>2</SUB>在制备ZnO压敏电阻中的应用,先将纳米TiO<SUB>2</SUB>同分散剂混合均匀,然后再加入ZnO压敏电阻的料方中,采用电子陶瓷工艺,经振磨混合、造粒成型、1260℃烧结,制成ZnO压敏电阻。纳米掺杂ZnO压敏电阻参数性能优于微米TiO<SUB>2</SUB>掺杂。 | ||
| 申请公布号 | CN1273424A | 申请公布日期 | 2000.11.15 |
| 申请号 | CN99120639.8 | 申请日期 | 1999.12.21 |
| 申请人 | 中国科学院等离子体物理研究所 | 发明人 | 冯士芬;季幼章 |
| 分类号 | H01C7/112 | 主分类号 | H01C7/112 |
| 代理机构 | 安徽合肥大夏专利事务所 | 代理人 | 季晟 |
| 主权项 | 1、一种纳米TiO2在制备ZnO压敏电阻中的应用，其特征在于：先将纳米TiO2同分散剂混合均匀，然后再加入ZnO压敏电阻的料方中。 | ||
| 地址 | 230031安徽省合肥市1126信箱 | ||