METHOD FOR MAKING A CAPACITOR OF A DRAM CELL,申请号KR19980036576-传众专利搜索

发明名称	METHOD FOR MAKING A CAPACITOR OF A DRAM CELL
摘要
申请公布号	KR100272535(B1)	申请公布日期	2000.11.15
申请号	KR19980036576	申请日期	1998.09.04
申请人	HYUNDAI MICRO ELECTRONICS CO., LTD.	发明人	PARK, KUN SIK;YANG, WOUN SEOK
分类号	H01L23/522;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/768;H01L21/8242;H01L27/108;(IPC1-7):H01L27/108	主分类号	H01L23/522
代理机构		代理人
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