| 主权项 |
1.一种具有移位虚置图案之主动区图案的设计方法,用以在具有一主动区图案之一积体电路制程上完成该设计方法,该设计方法包括下列步骤:选择一第一参数,对该主动区图案向外扩张该第一参数之线宽,而得到一第一图案区;对该第一图案区以色调反转处理而得到一第二图案区;提供一虚置阵列图案,该虚置阵列图案包括有复数个虚置图案元;对该些虚置图案元件一第一等距纵向移位与一第二等距横向之移位而得到一移位虚置阵列图案;根据该第二图案区,选取与该移位虚置阵列图案重叠部份而得到一共有图案;选择一第三参数,对该共有图案向外扩张该第三参数之线宽,而得到一虚置图案;以及根据该第一图案区与虚置图案,而得到该具有移位虚置图案之主动区图案,其中,该具有移位虚置图案之主动区图案包括有该第一图案区之面积与该虚置图案的面积。2.如申请专利范围第1项所述之设计方法,其中该积体电路上更包括有一多晶矽图案与一井区图案,一第三图案区包括:对该多晶矽图案向外扩张该第一参数之线宽;以及选择一第二参数,对该井区图案向两侧扩张该第二参数之线宽;其中,该第二图案区系根据包括有该第一图案区之面积与该第三图案区之面积作色调反转处理而得到。3.如申请专利范围第2项所述之设计方法,其中该第二参数为0.9m。4.如申请专利范围第1项所述之设计方法,其中该第一参数为1.4m。5.如申请专利范围第1项所述之设计方法,其中该虚置图案元为一0.2m2.2m之图案。6.如申请专利范围第1项所述之设计方法,其中该虚置图案元之间距为1.8m。7.如申请专利范围第1项所述之设计方法,其中该第一等距为0.2m,第二等距为0.2m。8.如申请专利范围第1项所述之设计方法,其中该第三参数为0.4m。9.一种具有移位虚置图案之主动区图案的设计方法,包括下列步骤:提供一主动区图案、一多晶矽图案与一井区图案;选择一第一参数,对该主动区图案向外扩张该第一参数之线宽而得到一第一图案区;对该多晶矽图案向外扩张该第一参数之线宽而得到一第二图案区;选择一第二参数,对该井区图案向两侧扩张该第二参数之线宽而得到一第三图案区;对该第一图案区、第二图案区与第三图案区作NOR逻辑运算而得到一第四图案区;提供一虚置阵列图案,该虚置阵列图案包括有复数个虚置图案元;对该些虚置图案元件一第一等距纵向移位与一第二等距横向之移位而得到一移位虚置阵列图案;对该第四图案区与移位虚置阵列图案作AND逻辑运算而得到一共有图案;选择一第三参数,对该共有图案向外扩张该第三参数之线宽,而得到一虚置图案;以及对该第一图案区与虚置图案作OR逻辑运算而得到该具有移位虚置图案之主动区图案。10.如申请专利范围第9项所述之设计方法,其中该第二参数为0.9m。11.如申请专利范围第9项所述之设计方法,其中该第一参数为1.4m。12.如申请专利范围第9项所述之设计方法,其中该虚置图案元为一0.2m2.2m之图案。13.如申请专利范围第9项所述之设计方法,其中该虚置图案元之间距为1.8m。14.如申请专利范围第9项所述之设计方法,其中该第一等距为0.2m,第二等距为0.2m。15.如申请专利范围第9项所述之设计方法,其中该第三参数为0.4m。图式简单说明:第一图Asim第一图D所示乃传统浅沟渠隔离之制程中,利用化学机械研磨技术平坦化的制程剖面图;第二图绘示依照传统具有虚置图案之主动区图案的设计方法示意图;第三图绘示依照本发明一较佳实施例的一种具有移位虚置图案之主动区图案的设计方法示意图;第四图绘示依照本发明实施例之设计方法所使用的原始图案;第五图绘示依照第四图所示之原始图案与选择之参数a与b所得之反转图案;第六图A绘示依照本发明实施例之设计方法所使用的一虚置阵列图案;第六图B绘示依照第六图A所示之虚置阵列图案移位后之移位虚置阵列图案;第七图A绘示依照第五图及第六图B所得之共有图案;第七图B绘示依照第七图A所示之共有图案所得之虚置图案;以及第八图绘示依照第四图与第七图B所得之本发明具有移位虚置图案之主动区图案。 |
