| 主权项 |
1.一种高压元件之制造方法,其包括:提供一基底,该基底具有一切割区以及一高压元件区,该切割区中形成有一隔离区,该高压元件区中于该基底上形成有一绝缘层;于该基底上方形成一图案化光阻,该图案化光阻裸露该高压元件区之部分该基底上方之该绝缘层以及该切割区之该隔离区;于该图案化光阻所裸露之该绝缘层下方之该基底中形成一掺杂区;于该切割区之该隔离区中,形成一沟渠;依序剥除该图案化光阻以及该绝缘层;进行一趋入步骤,将该掺杂区扩散至该基底中形成一接合区;以该沟渠为对准标记,于该接合区之间之该基底上,形成一闸极结构;于该闸极结构之一侧壁上,形成一间隙壁;以及于该闸极结构之间隙壁以及该隔离结构所裸露之该基底中,形成一重掺杂区,该重掺杂区与该接合区形成一双扩散汲极结构。2.如申请专利范围第1项所述之高压元件之制造方法,其中进行该趋入步骤之温度约为摄氏1000至1200度。3.如申请专利范围第1项所述之高压元件之制造方法,其中形成该闸极结构之前更包括以该沟渠为对准标记,进行一调整植入制程。4.如申请专利范围第3项所述之高压元件之制造方法,其中该调整植入制程包括一抗击穿离子植入制程。5.如申请专利范围第3项所述之高压元件之制造方法,其中该调整植入制程包括一起始电压离子植入制程。6.如申请专利范围第1项所述之高压元件之制造方法,于形成该重掺杂区之后,更包括进行一回火制程。7.一种整合制造高压元件与低压元件之方法,其包括:提供一基底,该基底上形成有一图案化绝缘层;于该图案化绝缘层所裸露之该基底上,形成一第一隔离区以及一第二隔离区,其中,该第一隔离区隔离一高压元件区与一低压元件区,该第二隔离区位于该基底之一切割区中;于该基底上方形成一图案化光阻,该图案化光阻裸露该高压元件区之部分该基底上方之该图案化绝缘层以及该切割区之该第二隔离区;于该图案化光阻所裸露之该绝缘层下方之该基底中形成一掺杂区;于该切割区之该第二隔离区中,形成一沟渠;依序剥除该图案化光阻以及该图案化绝缘层;进行一趋入步骤,将该掺杂区扩散至该基底中以及该第一隔离区下方之部分该基底中形成一接合区;以该沟渠为对准标记,于该高压元件区以及该低压元件区之该基底上,分别形成一第一闸极结构以及一第二闸极结构,该第一闸极结构位于该接合区之间之该基底上,并覆盖部分该接合区;于该低压元件区中之该第二闸极结构之两侧之该基底中形成一轻掺杂汲极区;于该第一与该第二闸极结构之一侧壁上,形成一间隙壁;以及于该第一与该第二闸极结构之该间隙壁以及该第一隔离结构所裸露之该基底中,分别形成一重掺杂区以及一源极/汲极区,该重掺杂区与该接合区形成一双扩散汲极结构。8.如申请专利范围第7项所述之整合制造高压元件与低压元件之方法,其中进行该趋入步骤之温度约为摄氏1000至1200度。9.如申请专利范围第7项所述之整合制造高压元件与低压元件之方法,其中形成该第一与该第二闸极结构之前,更包括以该沟渠为对准标记,进行一调整植入制程。10.如申请专利范围第9项所述之整合制造高压元件与低压元件之方法,其中该调整植入制程包括一抗击穿离子植入制程。11.如申请专利范围第9项所述之整合制造高压元件与低压元件之方法,其中该调整植入制程包括一起始电压离子植入制程。12.如申请专利范围第7项所述之整合制造高压元件与低压元件之方法,其中形成该重掺杂区以及该源极/汲极区之后,更包括进行一回火制程。图式简单说明:第一图A至第一图E所示,为根据本发明一较佳实施例之一种整合制造高压元件与低压元件之方法流程剖面示意图。 |
