| 主权项 |
1.一种粗面化导电性膜之形成方法,包括下列步骤:使用氢氟酸处理形成于上述半导体晶圆上的非晶矽导电性膜,以去除天然氧化物膜;接着上述氢氟酸处理后,在该导电性膜上形成极薄氧化物膜;使用矽烷气体在上述极薄氧化物膜上,以形成成核用膜;以及对具有上述成核用膜之上述晶圆进行退火,以将上述导电性膜之表面组化。2.如申请专利范围第1项之粗面化导电性膜之形成方法,其中上述极薄氧化物膜之厚度为0.5埃以上至20埃以下。3.如申请专利范围第1项之粗面化导电性膜之形成方法,其中上述极薄氧化物膜系经过氧化氢水溶液处理而形成。4.如申请专利范围第2项之粗面化导电性膜之形成方法,其中上述极薄氧化物膜系经过氧化氢水溶液处理而形成。5.如申请专利范围第1项之粗面化导电性膜之形成方法,其中上述极薄氧化物膜系经氧化剂之净化处理而形成。6.如申请专利范围第2项之粗面化导电性膜之形成方法,其中上述极薄氧化物膜系经氧化剂之净化处理而形成。7.一种粗面化导电性膜之形成方法,包括下列步骤:蚀刻形成于上述半导体晶圆上之非晶矽导电性膜后,更在上述导电性膜上形成氧化物膜;将上述半导体晶圆以氢氟酸处理,直到上述氧化物膜剩下为厚度在0.5埃以上至20埃以下之极薄氧化物膜;使用矽烷气体在上述极薄氧化物膜上,以形成成核用膜;以及对具有上述成核用膜之上述半导体晶圆退火,以将上述导电性膜之表面组化。8.如申请专利范围第7项之粗面化导电性膜之形成方法,其中上述氧化物膜之形成系经由氧化剂给予净化或经由氧气给予灰化。9.一种半导体装置,其包括如申请专利范围第1-8项中之任一项所述之形成方法所形成之粗面化导电性膜。图式简单说明:第一图系根据本发明之第一实施例之粗面化储存节点之形成方法所得之储存节点之粗面化状态之图示。第二图系根据本发明之第一实施例之粗面化储存节点之形成方法之制程流程图。第三图a与第三图b系根据习知技术或本发明之第一实施例所形成之粗化储存节点之图示。第四图a与第四图b系根据习知技术或本发明之第一实施例所形成之粗化储存节点之剖面图。第五图根据习知技术或本发明之第一实施例所形成之粗化储存节点之非粗化储存节点与粗化储存节点之面积比。第六图系根据习知技术或本发明之第一实施例所形成之粗化储存节点之反向与顺向偏压储存节点电容之比率表。第七图系根据本发明之第二实施例之形成粗面化储存节点步骤之流程图。第八图系根据本发明之第二实施例中,储存节点上之薄氧化物膜厚度与反向偏压电容値/顺向偏压电容値比率之关系图。第九图a及第九图b系本发明之第二实施例中,在储存节点上之粗化颗粒与簿氧化物膜厚度间关系之图示。第十图系本发明之第三实施例之粗面化储存节点之形成步骤之流程图。第十一图系本发明之第四实施例之粗面化储存节点之形成步骤之流程图。第十二图系本发明之第五实施例之粗面化储存节点之形成步骤之流程图。第十三图系本发明之第六实施例之粗面化储存节点之形成步骤之流程图。第十四图a至第十四图c至习知技术之形成储存节点之制程图示。第十五图系习知技术之形成储存节点之流程图。 |
