| 主权项 |
1.一种在处理半导体之前准备一室的方法,该方法至少包括的步骤为:a)将该室抽空至低于1托耳的压力;b)将一非反应性气体在一低于4托耳(Torr)的压力下流经该室;c)重复步骤a)及b)用以将污染物从该室中冲刷出;及d)将该室抽空至一低于50mTorr的压力用以将残余的非反应性气体从该室中清除。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在该室被加热超过50℃之前,步骤a)及b)被重复至少三个循环。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在该室被加热超过90℃之后,步骤a)及b)被重复至少十个循环。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该室在步骤a)被抽空至低于70mTorr的压力。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该室在步骤d)被抽空至低于20mTorr的压力。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其更包括的步骤为:e)将该室抽空至低于4托耳的压力;及f)在超过90℃的温度下烘烤出(bake out)污染物至少2个小时。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该非反应性气体包含氢气。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该非反应性气体为超高纯度氩气。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤a)及b)被重复少于3个小时。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤a)及b)被重复至少20个循环。11.一种在处理之前准备一室的方法,其至少包括的步骤为:a)将该室抽空至低于1托耳的压力;b)将一氩气在一低于4托耳的压力下流经该室;c)重复步骤a)及b)用以在进行以下的步骤之前将水气从该室中冲刷出来;d)将该室抽空至一低于70mTou的压力;e)将一氢气在一低于4托耳的压力及高于90℃的温度下流经该室;f)重复步骤d)及e)用以将污染物从该室中清除;及g)将该室的压力降至低于20mTon用以将所有的氩气从该室清除。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中步骤a)及b)在低于50℃的温度下被重复至少三个循环。13.如申请专利范围第11项所述之方法,其中步骤d)及e)被重复至少十个循环。14.如申请专利范围第11项所述之方法,其更包括的步骤有:h)将该室抽空至低于4托耳的压力;及i)在超过90℃的温度下烘烤出(bake out)污染物至少2个小时。15.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该室为一物理气相沉积室。16.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该氩气为一超高纯度的氩气。17.一种在半导体处理之前准被一物理气相沉积室的方法,其至少包括的步骤为:a)将该室抽空至低于1托耳的压力;b)将一超高纯度的氩气在一低于4托耳的压力下流经该室;c)在进行以下的步骤之前重复步骤a)及b)至少三个循环;d)将该室抽空至一低于70mTorr的压力;e)将一超高纯度的氢气在一低于4托耳的压力及高于90℃的温度下流经该室;f)重复步骤d)及e)至少十个循环;g)将该室的压力降至低于20mTorr用以将所有的氩气从该室清除;h)将该室抽空至一低于610-6Torr的压力;及i)在超过90℃的温度下烘烤出(bake out)污染物至少6个小时。18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中步骤a)及b)在低于50℃的温度下被重复3个循环。19.如申请专利范围第18项所述之方法,其中步骤d)及e)被重复17个循环。20.如申请专利范围第19项所述之方法,其中步骤a)至i)是在8个小时之内被完成。图式简单说明:第一图为一半导体处理室的示意图,该处理室具有一非反应性气体源用来在该室的烘烤(bake out)之前及期间于一低压力下冲刷该室。 |
