| 主权项 |
1.一种控制临界尺寸的方法,包括下列步骤:建立一资料库,该资料库系有关于在不同的曝光能量下,反射率与临界尺寸之关系;自一批次晶圆中取出一测试晶圆,量测该测试晶圆之反射率;将该测试晶圆之反射率与该资料库进行比对;以及预定一临界尺寸,加上自该测试晶圆中量得之反射率,与该资料库进行比对,寻找出一最佳曝光能量,以对该批次晶圆进行一微影制程。2.如申请专利范围第1项所述之控制临界尺寸的方法,其中该微影制程更包括于该批次晶圆上分别涂布一光阻层之步骤。3.一种控制临界尺寸的方法,包括下列步骤:建立一资料库,该资料库系有关于在不同的曝光能量下,反射率与临界尺寸之关系;提供一批次晶圆,分别涂布一光阻层;自该批次晶圆中取出一测试晶圆,量测该测试晶圆之反射率;将该测试晶圆之反射率与该资料库进行比对;以及预定一临界尺寸,加上自该测试晶圆中量得之反射率,与该资料库进行比对,寻找出一最佳曝光能量,以对该批次晶圆进行一微影制程。4.如申请专利范围第3项所述之控制临界尺寸的方法,其中在涂布该光阻层的步骤之后,更进一步包括一烘烤该光阻层之步骤。5.一种控制临界尺寸的装置,至少包括:一量测单元,用以连接到一步进机台上;该量测单元包括一量测反射率之装置与一电脑,其中该电脑中储存有一资料库纪录反射率与临界尺寸之关系,该量测反射率装置量测出一测试晶圆之反射率以后,将该测试晶圆之反射率传送至该电脑,根据该资料库之纪录,找出一最佳曝光能量値,将该最佳曝光能量値传至该步进机台上。6.如申请专利范围第5项所述之控制临界尺寸的装置,其中更包括设定一预定临界尺寸,合并测得的该测试晶圆之反射率,藉以寻得该最佳曝光能量値。图式简单说明:第一图绘示为依本发明一较佳实施例,在晶圆涂布上光阻以后量测到的反射率与光阻厚度之间的关系图;第二图绘示为依本发明一较佳实施例,光阻层厚度与将光阻层完全曝开所须之曝光能量的关系图;第三图绘示为依照本发明一较佳实施例之量测单元连接到步进机台的方块示意图;以及第四图绘示出末上光阻前,晶圆上之基层与反射率以及在该晶圆经曝光显影之后,临界尺寸之偏差。 |
