| 主权项 |
1.一种逐渐变细之沟槽的形成方法,适用于半导体装置之浅沟槽隔离物,包括下列步骤:(a)在矽晶圆既定位置上形成具开口之罩幕;以及(b)以该罩幕为遮蔽物,在电浆可消耗之矽的存在下,经由该开口蚀刻该矽晶圆以形成沟槽。2.如申请专利范围第1项所述之形成方法,其中该罩幕形成步骤包括:(i)在矽晶圆上依序形成一垫氧化层、氮化矽层;(ii)利用微影制程在该氮化矽层上形成露出部分氮化矽层的光阻;(iii)利用蚀刻步骤蚀刻未被上述光阻覆盖的氮化矽层以及垫氧化层,以形成具开口之罩幕。3.如申请专利范围第1项所述之形成方法,其中步骤(b)系在电浆反应室内设置一电浆可消耗之矽,且在蚀刻气体存在下蚀刻该矽晶圆,以形成该沟槽。4.如申请专利范围第3项所述之形成方法,其中蚀刻气体包含氯气(Cl2)以及溴化氢(HBr)。5.如申请专利范围第1项所述之形成方法,其中步骤(b)该电浆可消耗之矽为一设置于该矽晶圆周边之矽环状物。6.如申请专利范围第1项所述之形成方法,其中步骤(b)该电浆可消耗之矽为一非晶矽。7.如申请专利范围第1项所述之形成方法,其中步骤(b)该电浆可消耗之矽为一复晶矽。8.如申请专利范围第1项所述之形成方法,其中步骤(b)该电浆可消耗之矽为一矽复合物。9.如申请专利范围第1项所述之形成方法,其中步骤(b)该电浆可消耗之矽为一表面设置有矽之玻璃层。10.一种逐渐变细之沟槽的形成方法,适用于半导体装置之浅沟槽隔离物,包括下列步骤:(a)在矽晶圆既定位置上形成具开口之氮化矽罩幕;以及(b)以该氮化矽罩幕为遮蔽物,在电浆可消耗之矽的存在下,利用包含氯气以及溴化氢之蚀刻气体,在电浆蚀刻反应室内,经由该开口蚀刻该矽晶圆以形成一沟槽。图式简单说明:第一图为习知置于电浆蚀刻室之矽晶圆之上视图。第二图为习知方式经电浆蚀刻室蚀刻形成沟槽之矽晶圆剖面图。第三图为根据本发明较佳实施例置于电浆蚀刻室之矽晶圆与电浆可消耗之矽的上视图。第四图为根据本发明较佳实施例,经电浆蚀刻室蚀刻形成沟槽之矽晶圆剖面图。 |
