| 主权项 |
1.一种磁碟储存系统,具有至少双元件头及磁碟,其 中分开地设置一写入元件及一读取元件 于双元件头中,且在磁碟中形成有许多轨道,其中 在磁碟之ID区域中提供与写入操作有关的 位址资讯,至少与读取操作有关之位址资讯系提供 于资料区域中,且排列该ID区域以偏移该 资料区域,其方向垂直于轨道,偏移量约等于头的 读取元件与写入元件之间的位置偏移距离 ,对应磁碟之径向位置且方向与轨道垂直。2.如申 请专利范围第1项之磁碟储存系统,其中在写入资 料至该资料区域的操作中,对于写 入元件之位置,定位头以大致匹配该资料区域的中 心,其方向与轨道垂直,且在从资料区域 读取资料的操作中,对于读取元件之位置,定位头 以大致匹配该资料区域的中心于轨道宽度 方向上。3.如申请专利范围第2项之磁碟储存系统, 其中在垂直于轨道的方向上,写入件与读取元件 之间的位置偏,被距离,被磁性地写入在磁碟表面 或电气地写入至该磁碟储存系统中自含的 储存装置,且根据位置偏移距离而定位头。4.如申 请专利范围第2项之磁碟储存系统,其中决定该ID区 域与资料区域之间的偏移距离之 步骤,对应磁碟之径向位置且其方向与轨道垂直, 包括记录步骤及执行步骤,该记录步骤使 用产品中之头而记录一图案于产品的磁碟上,而该 执行步骤使用产品中之头而执行图案之定 位。5.如申请专利范围第1项之磁碟储存系统,其中 资料被写入至伺服区域(31)或每一轨道的该 ID区域,或该磁碟储存系统之工厂中的伺服轨道写 入处理中的预定轨道。6.如申请专利范围第1项之 磁碟储存系统,其中资料被事先写入至该伺服区域 或ID区域,其 形状为磁碟之表面粗糙,且资料从不规则的图案被 磁性地或光学地读取。7.如申请专利范围第1项之 磁碟储存系统,其中该至少双元件头包括至少双元 件头,具有写 入元件与读取元件分开地设置于其中,读取元件为 由至少两层以上的磁性多层膜所制成之大 抗磁元件,且形成于磁碟上之许多轨道中的磁碟之 径向的轨道密度等于或大于10kTPI。8.如申请专利 范围第1项之磁碟储存系统,其中操作中之震动电 阻等于或大于500G。9.一种磁碟储存系统,具有至少 双元件头及磁碟,其中分开地设置一写入元件及一 读取元件 于双元件头中,且在磁碟中形成有许多轨道,其中 许多轨道被分成许多扇区,且各许多扇区 具有至少一资料区域并可具有一ID区域,且各该ID 区域及该资料区域包括对应的扇区之位址 资讯,排列该ID区域以偏移该资料区域,其方向垂直 于轨道,且其偏移量约等于写入元件与 读取元件之间的操作偏移距离,对应磁碟之径向且 方向垂直于轨道。10.如申请专利范围第9项之磁碟 储存系统,其中在写入资料至该资料区域的操作中 ,对于写 入元件之位置,定位头以大致匹配该资料区域的中 心,在轨道宽度方向上,且在从资料区域 读取资料的操作中,对于读取元件之位置,定位头 以大致匹配该资料区域的中心于轨道宽度 方向上。11.如申请专利范围第10项之磁碟储存系 统,其中在垂直于轨道的方向上,写入元件与读取 元件之间的位置偏移距离,被磁性地写入在磁碟表 面或电气地写入至该磁碟储存系统中自含 的储存装置,且根据位置偏移距离而定位头。12.如 申请专利范围第10项之磁碟储存系统,其中决定该 ID区域与资料区域之间的偏移距离 之步骤,对应磁碟之径向位置且其方向与轨道垂直 ,包括记录步骤及执行步骤,该记录步骤 使用产品中之头而记录一图案于产品的磁碟上,而 该执行步骤使用产品中之头而执行图案之 定位。13.如申请专利范围第9项之磁碟储存系统, 其中资料被写入至伺服区域(31)或每一轨道的该 ID区域,或该磁碟储存系统之工厂中的伺服轨道写 入处理中的预定轨道。14.如申请专利范围第9项之 磁碟储存系统,其中资料被事先写入至该伺服区域 或ID区域,其 形状为磁碟之表面粗糙,且资料从不规则的图案被 磁性地或光学地读取。15.如申请专利范围第9项之 磁碟储存系统,其中该至少双元件头包括至少双元 件头,具有写 入元件与读取元件分开地设置于其中,读取元件为 由至少两层以上的磁性多层膜所制成之大 抗磁元件,且形成于磁碟上之许多轨道中的磁碟之 径向的轨道密度等于或大于10kTPI。16.如申请专利 范围第9项之磁碟储存系统,其中操作中之震动电 阻等于或大于500G。17.一种磁碟储存系统,其中在 磁碟上形成有许多轨道,许多轨道系分成许多扇区 ,且各许 多扇甚具有至少一资料区域并可有一ID区域,该系 统包含等候装置,在写入操作中的头寻找 之后,用以等候该ID区域之侦测,且在读取操作中的 头寻找之后,用以等候该资料区域之侦 测。18.如申请专利范围第17项之磁碟储存系统,其 中使用彼此不同的码而形成,表示该资料区 域之资料的开始位置之资料位址标记场,及表示该 ID区域之资料的开始位置之ID位址标记场 。19.如申请专利范围第17项之磁碟储存系统,进一 步包含停止装置,用以停止至少解码器之 一部份的操作以降低电力消耗,而在从该资料区域 读取资料的操作中,头之读取元件通过该 ID区域。20.如申请专利范围第17项之磁碟储存系统 ,进一步包含半导体记忆体,具有储存容量可储 存至少两个以上的资料区域之资料,其中已从该资 料区域被读取的资料砖移至该半导体记忆 体。21.如申请专利范围第17项之磁碟储存系统,进 一步包含第一错误检查场,与做成资料流之 形状的ID资料场有关,用以校正包含于该资料区域 中之错误,及第二错误检查场,与资料场 有关。22.如申请专利范围第17项之磁碟储存系统, 其中在从该资料区域读取资料的操作中,ID读 取错误信号之输出被固定为off。23.如申请专利范 围第17项之磁碟储存系统,其中在从该资料区域读 取资料的操作中,当ID 错误信号被输出时,连续地执行读取操作以强迫从 该资料区域读取资料。图式简单说明: 第一图为一剖面图,指出依据本发明之磁碟储存系 统的一个例子之构造; 第二图为一平面图,部份地被切去,指出本发明之 磁碟储存系统的内部构造; 第三图为一图形,指出本发明之扇区结构的一个例 子的结构; 第四图为一图形,指出本发明中之伺服区域的一个 例子之结构; 第五图为一图形,指出本发明中之ID区域的一个例 子之结构; 第六图为一图形,指出本发明中之资料区域的一个 例子之结构; 第七图为一图形,指出本发明中之资料区域的另一 个例子之结构; 第八图为一图形,指出习知技术之扇区结构; 第九图为一平面图,用于说明视致动器之位置而定 所倾斜之滑件; 第十图为一图形,用于说明在磁碟之外直径的位置 中之滑件的倾斜; 第十一图为一图形,用于说明在磁碟之内直径的位 置中之滑件的倾斜; 第十二图为一图形,用于说明本发明中之写入操作 中的头位置; 第十三图为一图形,用于说明习知技术中之写入操 作中的头位置; 第十四图为一图形,用于说明本发明之读取操作中 的头位置; 第十五图为一图形,用于说明习知技术中之读取操 作中的头位置; 第十六图为一流程图,用于说明写入/读取操作中 之流程;及 第十七图为一方块图,指出依据本发明之电路的一 个例子之造形。 |
