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1.一种在基体(S)之上侧(O)和下侧(U)上之二个接线 区之间导电性横向连接区(Q)之制造方法 ,其特征为以下步骤: (a)藉由喷镀挠注法出电性绝缘之塑料来制造基体( S),其中在基体(S)之外部正面区域中及/ 或在基体(S)之空白处(A)之区域中以喷镀挠注法一 起形成多个完整之磨齿(2),这些磨齿(2) 互相配置成相隔一段间距且在上侧(O)与下侧(U)之 间延伸; (b)在基体(S)上沈积金属层(M); (c)至少在与所期望之导线图型相邻接之区域中以 及在磨齿(Z)之正面区域中去除该金属层 (M),使得在磨齿(Z)之间产生电性互相绝缘之横向连 接区(Q)。2.如申请专利范围第1项之方法,其中在步 骤(a)中在基体(S)进行喷镀挠注时磨齿(Z)是依据 波浪形之外型方式而形成。3.如申请专利范围第1 或第2项之方法,其中在步骤(a)中在基体(S)进行喷 镀挠注时在基体之 下侧(U)一起形成平面式配置之聚合物突起(H)且在 沈积金属层(M)之后在聚合物突起(H)上涂 布一种可焊接之末端表面(E)。4.如申请专利范围 第1项之方法,其中金属层(M)是藉由铜之无电流式 之电解式沈积而涂布在 基体(S)上。5.如申请专利范围第1或第4项之方法, 其中在步骤(b)之后在金属层上沈积一层蚀刻光阻 层 (AR),此种蚀刻光阻层(AR)至少在与所期望之导线图 型相邻之区域中藉由雷射束而再去除, 然后将金属层(M)之裸露区域予以蚀刻而去除直至 基体(S)之表面为止。6.如申请专利范围第5项之方 法,其中蚀刻光阻层(AR)是藉由锡-铅之电解式沈积 而形成。7.如申请专利范围第1或第4项之方法,其 中在磨齿(Z)之正面区域中之金属层(M)须以机械方 式去除。8.如申请专利范围第5项之方法,其中在磨 齿(Z)之正面区域中之金属层(M)须以机械方式去 除。9.如申请专利范围第7项之方法,其中在磨齿(Z) 之正面区域中之金属层(M)是藉由磨齿(Z)之 研磨而去除。10.如申请专利范围第7项之方法,其 中在磨齿(Z)之正面区域中之金属层(M)是藉由磨齿( Z) 之研磨而去除。图式简单说明: 第一图在外部之正侧面区域中具有已整体形成之 磨齿的基体之部份俯视图。 第二图依据第一图之磨齿的三维空间之图解。 第三图在基体之空白处区域中基体(其具有已整体 形成之磨齿)之部份俯视图。 第四图在涂布一金属层和一蚀刻光阻层之后第一 图之基体的部份俯视图。 第五图在雷射式结构化之后第一图之基体的部份 俯视图。 第六图在磨齿磨光以形成横向连接区之后第四图 之基体的部份俯视图。 第七图构成PSGA之基体的侧视图。 |
