| 摘要 |
一种结构化电极之新式制造方法，特别是具有结构化电极之有机电致发光之组件,例如,具有结构化金属电极之显示器之制法方法,其步骤为:－在基体上沈积至少二种层(3,4),其中第一层(3)是电性绝缘的且在沈积第二层(4)时不会受到损害,在此二层之间须保持一种确定之界限,第一层在液态显影剂中所具有之溶解速率较第二层者还大,第二层可被结构化且可被交链,－对第二层(4)进行结构化且此结构转载至第一层(3)中,然后交链第二层(4),或首先对第二层(4)进行结构化且使第二层交链,然后此结构转载至第一层(3)中,其中第二层所具有之结构宽度较第一层者还大,且此二层之结构宽度间之差异在进行交链时仍须保持着,－在第二层(4)上沈积电极(6)。 |
| 主权项 |
1.一种结构化电极之制造方法,特别是具有结构化 电极之有机电致发光组件,例如,具有结 构化金属电极之显示器之制法方法,其特征为: --在基体上沈积至少二种层,其中第一层是电性绝 缘的且在沈积第二层时不会受到损害,在 此二层之间须保持一种确定之界限,第一层在液态 显影剂中所具有之溶解速率较第二层者还 大,第二层可破结构化且可被交链, --对第二层进行结构化且此结构转载至第一层中, 然后交链第二层,或首先对第二层进行结 构化且使第二层交链,然后此结构转载至第一层中 , 其中第二层所具有之结构宽度较第一层者还大,且 此二层之结构宽度间之差异在进行交链时 仍须保持着, --在第二层上沈积电极。2.如申请专利范围第1项 之方法,其中此二种层是沈积于一个存在于基体上 之底部电极上, 在第二层上首先沈积至少一层有机作用层,然后在 有机作用层上沈积顶部电极。3.如申请专利范围 第1或第2项之方法,其中第一层及/或第二层是由可 形成薄膜之有机材料 所构成。4.如申请专利范围第3项之方法,其中第一 层及/或第二层是由光阻所构成。5.如申请专利范 围第3项之方法,其中第一层是由漆或正(positive)光 阻所构成,第二层是 由正或负光阻所构成,其中若第一层出正光阻构成 时,则第一层在第二层沈积之前须以大量 之光束照射。6.如申请专利范围第4项之方法,其中 第一层是由漆或正(positive)光阻所构成,第二层是 由正或负光阻所构成,其中若第一层由正光阻构成 时,则第一层在第二层沈积之前须以大量 之光束照射。7.如申请专利范围第4项之方法,其中 第一层是由以聚戊二醯胺(Polyglutarimid)或聚苯并 恶唑(Polybenzoxazol)为基剂之正光阻所构成。8.如申 请专利范围第5项之方法,其中第一层是由以聚戊 二醯胺(Polyglutarimid)或聚苯并 恶唑(polybenzoxazol)为基剂之正光阻所构成。9.如申 请专利范围第4项之方法,其中第二层是由以Novolak( 酚醛清漆)/Diazochinon(重气 基)为基剂之正光阻所构成。10.如申请专利范围 第5项之方法,其中第二层是由以Movolak(酚醛清漆)/ Diazochinon(重 氮基)为基剂之正光阻所构成。11.如申请专利范 围第7项之方法,其中第二层是由以Novolak(酚醛淆漆 )/Diazochinon(重 氮基)为基剂之正光阻所构成。12.如申请专利范 围第4项之方法,其中第二层是由以Novolak/Vernetzer( 交键剂)/ Photosaure(光酸)为基剂之负光阻所构成。13.如申请 专利范围第5项之方法,其中第二层是由以Novolak/ Vernetzer(交链剂)/ Photosaure(光酸)为基剂之负光阻所构成。14.如申请 专利范围第7项之方法,其中第二层是由以Novolak/ Vernetzer(交链剂)/ Photosaure(光酸)为基剂之负光阻所构成。15.如申请 专利范围第3项之方法,其中第一层是由硷性可显 影之非光敏聚醯亚胺(Polyimid) 所构成。16.如申请专利范围第4项之方法,其中第 一层是由硷性可显影之非光敏聚醯亚胺(Polyimid) 所构成。17.如申请专利范围第5项之方法,其中第 一层是由硷性可显影之非光敏聚醯亚胺(Polyimid) 所构成。图式简单说明: 第一图依据本发明之方法所制成之有机发光二极 体之横切面(未依此例绘出)。 |
