| 主权项 |
1.一种具有一填充层形成于一中止层上之基板的 化学机械研磨方法,该方法至少包含以下步 骤: 以第一研磨浆化学机械研磨该基板,直到该中止层 至少部分曝露出来;及 以第二研磨浆化学机械研磨该基板直到该中止层 完全曝露出来,其中该第二研磨浆之选择性 比该第一研磨浆为低。2.如申请专利范围第1项所 述之方法,其中上述之第一研磨浆具有一约大于20: 1的选择性。3.如申请专利范围第1项所述之方法, 其中上述之第一研磨浆具有一约,100:1的选择性。4 .如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之第 二研磨浆具有一约小于6:1的选择性。5.如申请专 利范围第1项所述之方法,其中上述之第二研磨浆 具有一约1:1的选择性。6.如申请专利范围第1项所 述之方法,其中上述之中止层为第一介电材料,而 上述之填充层 为第二介电材料。7.如申请专利范围第6项所述之 方法,其中上述之第一介电材料为氮化物,而上述 之第二介 电材料为氧化物。8.如申请专利范围第1项所述之 方法,其中上述之中止层为介电层,而上述之填充 层为导电 层。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中上述 之中止层为氧化物,而上述之填充层为金属 层。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上 述之填充层为一矽层,而上述之中止层为一介 电层。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中 上述之矽层系选自多晶矽、非晶矽及单晶矽所 组成的群组中。12.如申请专利范围第1项所述之方 法,其中上述之第二研磨步骤系用以过度研磨该基 板。13.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上 述之第二研磨步骤系抛光该基板。14.如申请专利 范围第1项所述之方法,更包含一阻障层形成于上 述之填充层与上述之中止层 之间。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中 上述之第二研磨步骤除去至少部分上述之限障 层,用以确保上述之中止层大致曝露出来。16.如申 请专利范围第1项所述之方法,其中上述之第一及 第二研磨步骤分别使用第一及第二 研磨垫,其中该第一研磨垫较该第二研磨垫坚硬。 17.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之 第一研磨步骤包含在复数个研磨台中进行 研磨。18.如申请专利范围第1项所述之方法,其中 上述之第二研磨步骤包含在单一研磨台中进行研 磨。19.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上 述之第一及第二研磨步骤系于单一研磨台中进 行。20.一种具有一填充层形成于一中止层上之基 板的化学机械研磨方法,该方法至少包含下列 步骤: 利用第一研磨浆化学机械研磨该基板,直到一终点 侦测器侦测到该中止层至少部分曝露出来 ;及 利用第二研磨浆化学机械研磨该基板以确保该中 止层已大致曝露出来,其中该第二研磨浆比 该第一研磨浆具有较低选择性。21.一种于基板之 中止层中填充沟渠之方法,该方法至少包含下列步 骤: 沉积一填充层于该中止层上方; 利用第一研磨垫及第一研磨浆化学机械研磨该基 板,直到该中止层至少部分曝露出来;及 以第二研磨垫及第二研磨浆化学机械研磨该基板, 直到该中止层之上表面已完全曝露出来, 其中该第二研磨浆比该第一研磨浆具有较低选择 性。22.一种具有一填充层形成于一中止层上之基 板的化学机械研磨方法,该方法至少包含下列 步骤: 利用第一研磨浆化学机械研磨该基板,直到该中止 层之上表面已几近全部曝露出来;及 利第二研磨浆化学机械研磨该基板,以消除该基板 上之碟形现象,其中该第二研磨浆比该第 一研磨浆具有较低的选择性。23.如申请专利范围 第22项所述之方法,其中上述之中止层为第一介电 材料,而该填充层为 第二介电材料。24.如申请专利范围第23项所述之 方法,其中上述之第一介电材料为氮化物,而上述 之第二 介电材料为氧化物。25.如申请专利范围第22项所 述之方法,其中上述之中止层为介电层,而上述之 填充层为导 电层。26.如申请专利范围第25项所述之方法,其中 上述之中止层为氧化物层,而上述之填充层为 金属层。27.如申请专利范围第22项所述之方法,其 中上述之填充层为矽层,而上述之填充层为介电 层。28.如申请专利范围第27项所述之方法,其中上 述之矽层系选自由多晶矽、非晶矽及单晶矽 所组成的群组中。图式简单说明: 第一图为一化学机械研磨设备之远观图。 第二图A为第一图之化学机械研磨设备的第一研磨 台截面图。 第二图B为第一图之化学机械研磨设备的抛光研磨 台截面图。 第三图A至第三图E显示本发明方法之基板截面图 。 第四图A至第四图E显示本发明方法中具有一阻障 层之基板截面图,并能说明本发明所述 之方法。 |
