MEMOIRE STATIQUE A QUATRE TRANSISTORS DESEQUILIBRES AU NIVEAU DE LEUR COURANT DE FUITE ET PROCEDE DE COMMANDE D'UNE TELLE MEMOIRE

摘要

On maintient la donnée binaire écrite dans la cellule-mémoire en appliquant un effet substrat sur chaque transistor de mémorisation (TM3, TM4) de façon à obtenir un courant de fuite de chaque transistor d'accès (TA1, TA2) au moins dix fois supérieur au courant de fuite de chaque transistor de mémorisation.